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氧化锌半导体材料掺杂技术与应用
叶志镇，吕建国，张银珠等著2009 年出版190 页ISBN：9787308066242ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷（如空位氧Vo和间隙锌Zni），对受主产生高度自补偿作用，天然为n型半导体，难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光...
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