- 作 者：刘文明著编
- 出 版 社：长春：吉林人民出版社
- 出版年份：1982
- ISBN：13091·108
- 标注页数：627 页
- PDF页数：637 页
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第一章 晶体的内部结构和晶体的结合 3
1——1 晶体内部结构的周期性 3
1——2 立方晶系几种常见的晶体结构 10
1——3 晶列与晶面的取向 22
1——4 晶体的结合 30
第二章 晶格振动和晶格缺陷 42
2——1 一维均匀线的振动 42
2——2 一维单原子链的振动 46
2——3 一维双原子链的振动 51
2——4 玻恩——卡曼边界条件 61
2——5 三维晶体中原子的振动和声子 64
2——6 晶体中的点缺陷和杂质 70
2——7 位错和层错 76
第三章 半导体中的电子状态 85
3——1 电子的运动状态和能级 85
3——2 导带和价带，电子和空穴 90
3——3 杂质能级 97
3——4 缺陷能级 108
第四章 热平衡情况下载流子的密度 112
4——1 电子的统计分布 112
4——2 电子和空穴密度的一般表示式 118
4——3 本征半导体 126
4——4 杂质半导体 131
4——5 一般情况下的统计分布 145
4——6 载流子的简并化 154
第五章 半导体中的电导和霍尔效应 161
5——1 载流子的散射 161
5——2 电导现象 174
5——3 迁移率和电导率 179
5——4 强电场效应 190
5——5 一种载流子的霍尔效应 194
5——6 两种载流子的霍尔效应 206
6——1 非平衡载流子的产生和寿命 213
第六章 非平衡载流子 213
6——2 连续性方程 220
6——3 非平衡少数载流子的扩散 229
6——4 少子电流和多子电流 234
6——5 非平衡少数载流子的漂移和扩散 239
6——6 少子脉冲的扩散和漂移 244
6——7 海恩斯——萧克莱实验 250
6——8 近本征材料 253
6——9 复合机理 257
6——10 直接复合 262
6——11 通过复合中心的复合 272
7——1 表面势、能带弯曲和空间电荷区 282
第七章 半导体表面 282
7——2 空间电荷区的进一步分析 293
7——3 接触电势差 305
7——4 表面态 313
7——5 理想MOS的电容——电压特性 317
7——6 实际MOS的电容——电压特性 328
7——7 表面结构 340
第八章 p—n结 349
8——1 平衡态的p—n结 349
8——2 p—n结的电流——电压特性 353
8——3 简单理论的修正 365
8——4 p—n结电容 374
8——5 p—n结击穿 387
第九章 晶体的对称性 402
9——1 群论初步 402
9——2 对称操作 409
9——3 点群 420
9——4 晶体的对称性——空间群 432
9——5 晶体宏观性质的对称性 444
9——6 倒格子 455
第十章 能带理论 462
10——1 能带理论的基础 462
10——2 布洛赫定理 465
10——3 周期性边界条件 471
10——4 能带及其一般特性 474
10——5 布里渊区 480
10——6 电子的平均速度和加速度 487
10——7 金属、半导体和绝缘体 495
10——8 空穴 502
10——9 回旋共振 506
10——10 状态密度 524
第十一章 能带的计算方法 528
11——1 动量表象中的运动方程式 528
11——2 准自由电子近似法 535
11——3 紧束缚近似法 547
11——4 原胞法 556
11——5 正交化平面波方法 561
11——6 赝势法 565
11——7 k·p方法 567
第十二章 输运现象的统计理论 572
12——1 一般介绍 572
12——2 玻耳兹曼方程和弱场情况下的解 578
12——3 在具有立方对称性的半导体里，输运现象中的一般公式 585
12——4 球形等能面情况下的输运现象 591
12——5 两种载流子的输运现象 601
12——6 多能谷情况下的输运现象 606
12——7 强磁场情况下的电流磁效应 621