- 作 者：叶良修编著
- 出 版 社：北京：高等教育出版社
- 出版年份：1983
- ISBN：13010·0929
- 标注页数：511 页
- PDF页数：528 页
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目录 1
第一章 晶格结构和结合性质 1
§1.1晶体的结构 1
§1.2半导体的结合性质 12
§1.3晶格缺陷 23
§1.4半导体表面的再构 34
第一章 参考文献 38
§2.1晶体中的能带 41
第二章 半导体中的电子状态 41
§2.2晶体中电子的运动 52
§2.3导电电子和空穴 60
§2.4常见半导体的能带结构 65
§2.5杂质和缺陷能级 80
§2.6重掺杂半导体 96
§2.7表面态 99
第二章 参考文献 103
第三章 电子和空穴的平衡统计分布 108
§3.1费米分布函数 109
§3.2载流子浓度对费米能级的依赖关系 112
§3.3本征载流子浓度 118
§3.4非本征半导体的统计 121
§3.5简并情形的统计 137
§3.6费米能和化学势 141
§3.7化合物半导体中的自补偿 147
第三章 参考文献 152
§4.1电导和霍尔效应的分析 154
第四章 输运现象 154
§4.2载流子的散射 169
§4.3电导的统计理论 181
§4.4霍尔效应的统计理论 190
§4.5磁阻 202
附录4.1电阻率和霍尔效应的测量方法 214
附录4.2玻尔兹曼积分微分方程和弛豫时间的存在性 218
附录4.3电阻率和杂质浓度的对应关系 224
第四章 参考文献 225
§5.1过剩载流子及其产生和复合 227
第五章 过剩载流子 227
§5.2过剩载流子的扩散 233
§5.3过剩载流子的漂移和扩散 241
§5.4双极扩散和双极漂移 248
§5.5丹倍效应和光磁效应 252
§5.6表面复合对寿命的影响 255
§5.7直接复合 259
§5.8间接复合 272
§5.9陷阱效应 289
§5.10空间电荷的弛豫 297
第五章 参考文献 299
第六章 pn结 303
§6.1pn结及其伏安特性 303
§6.2pn结电容 317
§6.3pn结的光生伏特效应 333
§6.4pn结中的隧道效应 339
第六章 参考文献 351
§7.1表面感生电荷层 354
第七章 半导体表面层和MIS结构 354
§7.2MIS电容 360
§7.3界面态及其电容效应 379
§7.4表面电导和场效应 396
§7.5表面复合 403
§7.6表面量子化 408
§7.7沟道迁移率 413
附录7.1半导体表面层电荷和电容作为Vs的函数的一般表示式 420
第七章 参考文献 422
第八章 金属半导体接触和异质结 427
§8.1金属-半导体接触 428
§8.2肖特基二极管的电流 433
§8.3势垒高度 446
§8.4异质结 457
§8.5异质结中的电流 469
§8.6半导体超晶格 478
§8.7空间电荷限制电流 481
第八章 参考文献 490
主题索引 496
重要的物理常数 511