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基于半导体量子点的量子计算与量子信息 【数理化】
侯建国主编2009 年出版370 页ISBN:9787312022227本书以清晰的物理图像和丰富的实验结果,比较全面地介绍了基于半导体量子点的量子计算和量子信息方面的最新研究进展。内容有:半导体量子点形貌结构和基本特性介绍;激子量子比特旋转和量子逻辑运算等量子计算方...
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半导体的电子结构与性能 【数理化】
(英)W.施罗特尔(Wolfgang Schroter)主编;甘骏人,夏冠群等译2001 年出版530 页ISBN:7030075250本卷主要介绍半导体的电子结构与性能。本卷共11章。第1章至第4章主要阐述半导体中的能带理论、光学性质和电荷输送,本征点缺陷及深中心;第5章至第8章叙述平衡、非平衡,扩散"和淀积,位错,半导体中的晶界及界面;第9...
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半导体物理学 第6版 【数理化】
刘恩科,朱秉升等编著2003 年出版449 页ISBN:7505389858本书主要介绍半导体物理基础知识。全书共13章,主要内容有:半导体的晶格结构与电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面—......
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半导体物理学 第4版 【数理化】
刘恩科等编1994 年出版372 页ISBN:7118011959本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章,主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面......
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半导体物理性能手册 第2卷 上 英文 【数理化】
(日)足立贞夫主编2014 年出版232 页ISBN:9787560345161本册由9章组成,介绍介绍Ⅲ-Ⅴ族 半导体化合物,10.纤锌矿型氮化镓,11.立方氮化镓,12.磷化镓(差距),13.砷化镓(砷化镓),14.锑化镓(GaSb),15.氮化铟(酒店),16.磷化铟(InP),17.砷化铟(成),18.锑化铟(InSb),共9种化合物的...
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半导体物理性能手册 第3卷 上 英文 【数理化】
(日)足立贞夫主编2014 年出版253 页ISBN:9787560345185本册由8章组成,介绍10立方硫化镉(c cd),11纤锌矿型硫化镉(wcd),12立方硒化镉(c-CdSe),13纤锌矿硒化镉(w-CdSe),14碲化镉(CdTe),15立方硫化汞(β-HgS),16汞硒化物(HgSe),17碲化汞(HgTe),8种化合物的结构属性、热性能...
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半导体光学和输运现象 影印版 【数理化】
W.SchaferM.Wegener著2011 年出版495 页ISBN:9787030313935本书是一本半导体物理方面的教科书,写给研究生和研究人员,它属于Springer的AdvancedTextsinPhysics书系,2002年出版。假定读者已有固体物理学的基础知识,作者全面介绍了半导体光学和输运现象领域的基本理论和理...
