- 作 者：李志彬，陈新安主编；倪鹤南副主编
- 出 版 社：成都：电子科技大学出版社
- 出版年份：2015
- ISBN：9787564729073
- 标注页数：116 页
- PDF页数：123 页
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实验一 四探针法测量电阻率 1
【实验目的】 1
【实验仪器】 1
【实验原理】 2
【实验内容】 5
【实验步骤】 5
【实验数据记录及处理】 6
【注意事项】 7
【思考题】 7
【附录】 7
实验二 P-N导电类型鉴别 13
【实验目的】 13
【实验仪器】 13
【实验原理】 13
【实验步骤】 15
【注意事项】 15
实验三 椭圆偏振光谱法测量单晶硅的光学常数 16
【实验目的】 16
【实验仪器】 16
【实验原理】 16
【实验步骤】 19
实验四 激光测定单晶硅的晶向 21
【实验目的】 21
【实验仪器】 21
【实验原理】 21
【实验步骤】 25
【数据处理与分析】 25
【思考题】 26
【附录】 26
实验五 用光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子寿命 27
【实验目的】 27
【实验仪器】 27
【实验原理】 27
【实验步骤】 31
【注意事项】 32
实验六 变温霍尔效应测量半导体电学特性 33
【实验目的】 33
【实验仪器】 33
【实验原理】 33
【实验步骤】 35
【数据记录与分析】 36
【注意事项】 37
【思考题】 37
实验七 荧光分光光度计测量半导体材料的光学特性 38
【实验目的】 38
【实验仪器】 38
【实验原理】 39
【实验内容】 41
【实验步骤】 41
【注意事项】 43
【思考题】 43
实验八 电容－电压法测量N/N＋外延层中杂质浓度 44
【实验目的】 44
【实验仪器】 44
【实验原理】 44
【实验步骤】 45
【数据处理与分析】 47
实验九 二次谐波法测量杂质浓度及其分布 48
【实验目的】 48
【实验仪器】 48
【实验原理】 48
【仪器使用方法及定标】 51
【实验步骤】 53
【注意事项】 54
【思考题】 54
实验十 硅单晶中位错、层错的观察 55
【实验目的】 55
【实验仪器】 55
【实验原理】 55
【实验步骤】 57
【数据处理与分析】 58
实验十一 用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数 59
【实验目的】 59
【实验仪器】 59
【实验原理】 59
【实验步骤】 62
【附录】 66
实验十二 MOS结构高频C-V特性测试 71
【实验目的】 71
【实验仪器】 71
【实验原理】 71
【实验内容】 75
【实验步骤】 75
【数据分析与处理】 76
实验十三 P-N结正向特性测试 77
【实验目的】 77
【实验仪器】 77
【实验原理】 77
【实验步骤】 80
实验十四 P-N结势垒电容的测量 83
【实验目的】 83
【实验仪器】 83
【实验原理】 83
【测试方法】 85
【实验步骤】 86
【思考题】 87
实验十五 表面势垒二极管的伏安特性 88
【实验目的】 88
【实验仪器】 88
【实验原理】 88
【实验步骤】 90
【思考题】 91
实验十六 晶体管特征频率的测量 92
【实验目的】 92
【实验仪器】 92
【实验原理】 92
【实验步骤】 96
【数据处理与分析】 97
【思考题】 97
实验十七 光电器件性能测试 98
【实验目的】 98
【实验仪器】 98
【实验原理】 98
【实验步骤】 103
【注意事项】 108
实验十八 MOS管静态参数测试 109
【实验目的】 109
【实验仪器】 109
【实验原理】 109
【实验步骤】 112
【数据处理与分析】 115
参考文献 116