- 作 者：上海无线电十四厂情报资料室译
- 出 版 社：
- 出版年份：1969
- ISBN：
- 标注页数：107 页
- PDF页数：112 页
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译者按语 1
第一章 绪论 3
第二章 场效应的物理基础 8
2.1 半导体中的电阻率和电流 8
2.1.1 半导体的漂移电流 8
2.1.2 半导体的扩散电流 12
2.2 沟道中有效迁移率随栅压而变化的情况 12
2.3 电磁理论和电场效应 15
2.4 费密（Fermi）统计 16
2.5 半导体表面和反型层的形成 19
第三章 MOS场效应晶体管工作的理论 24
第四章 MOS场效应晶体管工作的三种状态 36
4.1 MOS特性划分为三个区 36
4.2 夹断之前可调电阻区导电的情况 36
4.3 夹断之后的饱和电流 41
4.4 饱和之外雪崩击穿区的导电情况 46
4.5 MOS结构中的隧道？发射击穿 52
第五章 MOS工艺的状况 54
5.1 齐纳二极管保护栅极绝缘层 54
5.2 MOS器件工作的不稳定性 55
5.3 MOSFET的制作与工艺 60
5.4 MOS晶体管的几何图形 64
5.5 结型场效应晶体管 66
5.6 薄膜场效应晶体管 68
第六章 MOS场效应晶体管电学特性，电参数及其应用 69
6.1 MOSFET应用的广泛性 69
6.2 MOSFET结构的等效电路 70
6.3 用MOSFET作射频放大 72
6.4 MOS斩波器 78
6.5 MOS可调衰减器电路 30
6.6 MOSFET作为限流元件 80
6.7 MOSFET用作线性“电压-可调”电阻 81
第七章 MOS晶体管在数字方面的应用 83
7.1 MOSFET逻辑电路和数字阵列 83
7.2 共栅-漏电路 83
7.3 P-沟道逻辑 86
7.4 P-沟道倒相器 87
7.5 P-沟道MOS触发器 87
7.6 P-沟道MOS“与门” 88
7.7 P-沟道MOS“或门” 89
7.8 复杂的集成MOS阵列 90
7.9 互补MOS逻辑 90
7.10 MOS互补倒相器 93
7.11 MOS互补触发器 94
7.12 互补MOS“与非门” 94
7.13 互补的MOS“或非门” 95
附录1 阈值电压的定义 96
附录2 符号与标志说明 97
附录3 常数表 99
参考文献 100