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半导体物理学 第6版
刘恩科,朱秉升等编著2003 年出版449 页ISBN:7505389858本书主要介绍半导体物理基础知识。全书共13章,主要内容有:半导体的晶格结构与电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面—......
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半导体物理学 第4版
刘恩科等编1994 年出版372 页ISBN:7118011959本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章,主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面......
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半导体物理与器件 第3版
赵毅强编著2010 年出版526 页ISBN:9787121111808本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理以及半导体器件物理等内容,共分为三部分,十五章。第一部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体...
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半导体器件物理与工艺 第3版
(美)施敏,李明逵著;王明湘,赵鹤鸣译2014 年出版558 页ISBN:9787567205543本书分三大部分:第一部分“半导体物理”主要描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第二部分“半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部...
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半导体物理性能手册 第2卷 上 英文
(日)足立贞夫主编2014 年出版232 页ISBN:9787560345161本册由9章组成,介绍介绍Ⅲ-Ⅴ族 半导体化合物,10.纤锌矿型氮化镓,11.立方氮化镓,12.磷化镓(差距),13.砷化镓(砷化镓),14.锑化镓(GaSb),15.氮化铟(酒店),16.磷化铟(InP),17.砷化铟(成),18.锑化铟(InSb),共9种化合物的...
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半导体物理性能手册 第3卷 上 英文
(日)足立贞夫主编2014 年出版253 页ISBN:9787560345185本册由8章组成,介绍10立方硫化镉(c cd),11纤锌矿型硫化镉(wcd),12立方硒化镉(c-CdSe),13纤锌矿硒化镉(w-CdSe),14碲化镉(CdTe),15立方硫化汞(β-HgS),16汞硒化物(HgSe),17碲化汞(HgTe),8种化合物的结构属性、热性能...
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半导体物理性能手册 第1卷 英文
SadaoAdachi主编2014 年出版344 页ISBN:9787560345130本册由9章组成,介绍Ⅲ—Ⅴ族半导体化合物,1.立方氮化硼(c bn),2.六角氮化硼(h bn),3.磷化硼(BP),4.硼砷化物(BAs),5.纤锌矿型氮化铝(w—AlN),6.立方氮化铝(c—AlN),7.磷化铝(A1P),8.铝砷化物(唉),9.铝锑......
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半导体器件物理学习与考研指导
孟庆巨编著2010 年出版208 页ISBN:9787030267399本书是和《半导体器件物理(第二版)》同步使用的教学辅导教材,可用于相关课程的学习和考研。本书除提纲挈领地提供了《半导体器件物理(第二版)》各章知识要点之外,对书中绝大部分的基本概念、名词术语和问题、理.....
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