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半导体物理与器件 基本原理 【数理化】
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半导体物理性能手册 第2卷 上 英文 【数理化】
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半导体物理性能手册 第3卷 上 英文 【数理化】
（日）足立贞夫主编2014 年出版253 页ISBN：9787560345185本册由8章组成,介绍10立方硫化镉(c cd)，11纤锌矿型硫化镉(wcd)，12立方硒化镉(c-CdSe)，13纤锌矿硒化镉(w-CdSe)，14碲化镉(CdTe)，15立方硫化汞(β-HgS)，16汞硒化物(HgSe)，17碲化汞(HgTe)，8种化合物的结构属性、热性能...
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半导体物理性能手册 第2卷 下 3-5 compound semiconductors 英文 【数理化】
SadaoAdachi主编2014 年出版656 页ISBN：9787560345178本册由9章组成，介绍1氧化镁(采用)，2闪锌矿硫化镁(β-MgS)，3闪锌矿硒化镁(β-MgSe)，4闪锌矿镁碲化(β-MgTe)，5 氧化锌（ZnO），6纤锌矿硫化锌(α-ZnS)，7立方闪锌矿(β-ZnS)，8硒化锌(ZnSe)，9碲化锌(ZnTe)，9种化合物的结构属...
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