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- 作 者：北京大学物理系半导体物理教研组编著；莫党编著
- 出 版 社：北京：人民教育出版社
- 出版年份：1963
- ISBN：13010·1093
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下册目录 209
第六章Ⅲ-Ⅴ族化合物的相平衡和制备 209
§23固液平衡相图 209
§24蒸气压 213
§25压力和温度的控制 220
§26原料提纯 225
§27化合物的合成和单晶生长 228
§28化合物的区域提纯 237
参考文献 241
第七章Ⅲ-Ⅴ族化合物的特性和杂质 243
§29化合物的化学键与晶体结构 244
§30极性对禁带宽度和载流子迁移率的影响 252
§31极性对腐蚀和晶体生长的影响 262
§32 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质 267
§33 Ⅲ-Ⅴ族化合物之间的固溶体 273
参考文献 277
第八章化合物半导体的化学比问题。硫化物和氧化物 280
§34化合物半导体的缺陷 281
§35化学比的偏离。硫化物和氧化物的气氛处理 293
§36从气相中生长单晶 305
§37晶粒间界和非单晶样品 316
参考文献 321
第九章缺陷、杂质互作用的几个问题 323
§38杂质溶解度的相互影响 323
§39硅中氧的反应 331
§40锗中铜的扩散 340
参考文献 346
附录 348