- 作 者：谢孟贤，刘国维编
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1980
- ISBN：15034·1994
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目录 1
第一章 半导体的晶体结构 1
§1-1 锗、硅的晶体结构 1
§1-2 晶向和晶面 5
§1-3 锗、硅晶体的各向异性 11
§1-4 锗、硅晶体的原子堆积模型 17
§1-5 砷化镓的晶体结构 20
第二章 半导体中的杂质和缺陷 24
§2-1 点缺陷 24
§2-2 位错 31
§2-3 层错 56
§2-4 微缺陷 64
§2-5 半导体中的杂质 75
§2-6 半导体中缺陷的检测和晶体定向 88
§2-7 超微量杂质的检测 103
第三章 相图概念 116
§3-1 什么是相图 116
§3-2 两相平衡共存时的准静态相变 118
§3-3 形成有限固溶体的相图 120
§3-4 形成化合物的相图 123
§3-5 固溶度和分凝系数 128
§3-6 相图在半导体工艺中的应用 131
第四章 扩散 135
§4-1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 136
§4-2 半导体中杂质原子扩散的浓度分布 142
§4-3 扩散工艺参量与扩散工艺条件 151
§4-4 主要扩散方法 161
§4-5 金扩散技术概要 171
§4-6 其它某些问题 176
§4-7 高温氧化过程中杂质的再分布 181
§4-8 结深和方块电阻的测量 187
附录Ⅰ 扩散方程的求解 201
附录Ⅱ 参考图线 205
附录Ⅲ 离子注入技术简介 210
第五章 氧化技术原理 220
§5-1 二氧化硅玻璃的结构和某些性质 221
§5-2 二氧化硅玻璃中的杂质 224
§5-3 杂质在SiO2玻璃层中的扩散 228
§5-4 高温氧化 233
§5-5 热分解淀积二氧化硅 247
§5-6 SiO2层厚度的测量 249
附录 硅中的氧化层错 253