- 作 者：（日）西泽润一编；潘桂堂，石忠诚译
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1986
- ISBN：15031·719
- 标注页数：309 页
- PDF页数：317 页
请阅读订购服务说明与试读!
订购服务说明
1、本站所有的书默认都是PDF格式，该格式图书只能阅读和打印，不能再次编辑。
2、除分上下册或者多册的情况下，一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源317 ≥309页】
图书下载及付费说明
1、所有的电子图书为PDF格式，支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读；可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。
2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)
3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。
目录 1
译序 1
第一章 集成电路中的评价技术 1
1.1 引言 1
1.2 为了进行工艺控制所必需的评价 1
1.3 工艺设备自动化和工艺评价 3
1.4 变质、污染的评价 8
1.5 工艺材料评价 14
1.6 性能分析和失效分析 17
1.7 结束语 22
2.1 引言 23
第二章 集成电路生产中的精密控制 23
2.2 控制的形式及其特长 24
2.3 掺杂中的控制 27
2.4 形成膜时的控制 34
2.5 腐蚀中的控制 39
2.6 光刻工序中的控制 42
2.7 做为综合系统的精密控制 44
2.8 结束语 45
第三章 硅气相外延生长及掺杂的工艺过程中控制 46
3.1 引言 46
3.2 在反应过程中同时进行分析 47
3.3 在硅气相生长的同时进行分析 49
3.4 掺杂的工艺过程中控制 58
3.5 结束语 68
第四章 硅气相生长中的工艺过程中评价 69
4.1 引言 69
4.2 对供给生长炉的气体进行工艺过程中评价 70
4.3 炉内气体状态的工艺过程中评价 79
4.4 结束语 94
第五章 CVD的评价技术 95
5.1 引言 95
5.2 CVD技术的展望 95
5.3 CVD技术与半导体器件 98
5.4 评价CVD膜的方法 102
5.5 CVD膜生长时的评价 102
5.6 CVD膜质量的测量及评价 105
5.7 在实际应用中进行评价 108
5.8 CVD膜的评价技术 109
5.9 结束语 121
第六章 反射式高能电子衍射与半导体表面 122
6.1 反射式高能电子衍射的最近发展 122
6.2 新型的RHEED仪 123
6.3 RHEED法的原理 124
6.4 RHEED法的特点 127
6.5 硅、锗表面的净化过程 128
6.6 蒸发形成表面结构 131
6.7 结束语 133
7.2 SIMS法的概要及重要性 134
第七章 利用二次离子质谱法评价工艺 134
7.1 引言 134
7.3 微量杂质的分析 138
7.4 测量样品深度方向的浓度分布 144
7.5 观察二次离子象 153
7.6 绝缘材料的分析 155
7.7 定量分析 160
7.8 结束语 163
第八章 等离子体刻蚀及其工艺过程中控制 164
8.1 引言 164
8.2 工艺过程中控制的重要性 164
8.3 干蚀的机构 165
8.4 干蚀中的监控法 170
8.5 其他的腐蚀监测法 182
8.6 今后的课题 185
8.7 结束语 186
第九章 闪频扫描电镜在集成电路失效分析中的应用 188
9.1 引言 188
9.2 SEM的电位反差图象 188
9.3 闪频SEM的原理 189
9.4 脉冲门控 191
9.5 闪频SEM的电子光学 192
9.6 闪频SEM的实例 195
9.7 用闪频SEM对双极型集成电路进行失效分析的例子 199
9.8 闪频SEM法所存在的问题 202
9.9 结束语 206
第十章 用测试图形进行工艺检验 207
10.1 引言 207
10.2 IC研制中的测试图形 208
10.3 单项基本工艺评价测试图形 211
10.4 设计规则 221
10.5 元件评价测试图形 224
10.6 用于LSI研制中的测试图形 227
10.7 工艺数据处理 230
10.8 结束语 231
11.2 大规模集成电路工艺中的评价 232
11.1 引言 232
第十一章 集成电路、大规模集成电路的工艺线内检验和反馈 232
11.3 工艺线内评价及其外围技术 234
11.4 信息的归纳和整理 265
11.5 环境和材料的保全 268
11.6 结束语 273
特邀报告 反应性离子腐蚀中硅的表面损伤 274
A.1 引言 274
A.2 二氧化硅的反应性离子腐蚀 274
A.3 实验设备与腐蚀特性 276
A.4 在RIE中硅样品表面的污染及损伤 278
A.5 结束语 289
参考文献 291