- 作 者：李晋闽，王军喜，刘哲著
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：2016
- ISBN：7030472640
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第1章 绪论 1
参考文献 4
第2章 LED的基本原理 6
2.1 LED发光原理 6
2.2 辐射复合与非辐射复合 10
2.3 LED的光学特性与电学特性 11
2.4 白光LED原理 16
参考文献 18
第3章 Ⅲ族氮化物LED材料的性质与测试 19
3.1 Ⅲ族氮化物的晶体结构和能带结构 19
3.2 Ⅲ族氮化物材料的极化效应 22
3.3 Ⅲ族氮化物LED材料的掺杂 24
3.4 Ⅲ族氮化物材料性质测试分析 26
参考文献 32
第4章 Ⅲ族氮化物LED材料的外延生长 33
4.1 外延生长基本模式 33
4.2 Ⅲ族氮化物LED外延生长的衬底 35
4.3 Ⅲ族氮化物LED外延技术 37
4.4 MOCVD生长氮化物材料的两步生长法 45
4.5 Ⅲ族氮化物材料外延层生长条件对材料质量的影响 49
4.6 SiC衬底上高质量GaN的外延技术 58
参考文献 64
第5章 InGaN／GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED 66
5.1 InGaN材料体系简介 66
5.2 InGaN／GaN多量子阱材料中的极化效应 67
5.3 量子限制斯塔克效应 72
5.4 InGaN／GaN多量子阱中的载流子局域化 74
5.5 绿光LED及非极性、半极性LED 76
参考文献 81
第6章 AlGaN基多量子阱材料及紫外LED 84
6.1 A1GaN材料体系简介 85
6.2 AlGaN材料的光学特性和电学特性 86
6.3 A1GaN材料外延生长和掺杂技术 88
6.4 紫外LED的结构设计及制备 93
参考文献 98
第7章 Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术 101
7.1 LED的三种结构 101
7.2 内部量子效率提升技术 104
7.3 光取出效率提升技术 114
7.4 电流注入效率提升技术 128
7.5 Droop效应 137
参考文献 142
第8章 Ⅲ族氮化物LED的关键制备工艺 144
8.1 Ⅲ族氮化物LED制备工艺流程 144
8.2 光刻工艺 145
8.3 刻蚀工艺 149
8.4 蒸发和溅射 152
8.5 欧姆接触 153
8.6 倒装结构LED的关键工艺 158
8.7 垂直结构LED的关键工艺 160
8.8 交流／高压LED的关键工艺 166
参考文献 171
第9章 Ⅲ族氮化物LED的封装 173
9.1 Ⅲ族氮化物LED封装材料 173
9.2 Ⅲ族氮化物LED封装工艺 177
9.3 LED封装技术 180
9.4 封装及系统散热技术 185
9.5 封装形式的发展趋势 187
参考文献 187
第10章 Ⅲ族氮化物LED器件的可靠性分析 189
10.1 失效模式和失效分析 189
10.2 LED老化测试和老化机制 198
10.3 LED系统可靠性 202
参考文献 209
第11章 LED的应用 211
11.1 新型光环境技术 211
11.2 可见光通信应用系统 214
11.3 LED显示 217
11.4 植物照明应用 223
11.5 医疗应用 229
参考文献 230
第12章 新型氮化物LED技术 232
12.1 GaN基纳米柱LED 232
12.2 量子点LED 243
12.3 表面等离激元增强GaN基LED 247
12.4 GaN基偏振光LED 254
参考文献 261
索引 263