购买云解压PDF图书

当前位置: 电子材料实验 > 购买云解压PDF图书
电子材料实验
  • 作 者:宗祥福,李川主编
  • 出 版 社:上海:复旦大学出版社
  • 出版年份:2004
  • ISBN:7309040252
  • 注意:在使用云解压之前,请认真核对实际PDF页数与内容!

在线云解压

价格(点数)

购买连接

说明

转为PDF格式

9

立即购买

(在线云解压服务)

云解压服务说明

1、本站所有的云解压默认都是转为PDF格式,该格式图书只能阅读和打印,不能再次编辑。

云解压下载及付费说明

1、所有的电子图书云解压均转换为PDF格式,支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读;可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。

2、云解压在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)

录 1

CONTENTS 1

实验一四探针法测量电阻率 1

目 1

实验二扩展电阻法测量硅片微区电阻率变化及其深度分布 17

实验三范德堡-霍耳效应实验 25

实验四硅单晶杂质补偿度的测量 39

实验十四 透射电子显微术 1 43

实验五MOS电容-电压特性测量 48

实验六用准静态技术测量硅-二氧化硅界面态密度分布 56

实验七深能级瞬态谱法(DLTS)测定硅中深能级中心 66

实验八砷化镓的光致发光(PL)谱 75

实验九激光测定硅单晶晶轴 86

实验十椭偏法测量薄膜折射率及厚度 93

实验十一扫描电子显微镜 104

实验十二半导体集成电路的解剖分析 121

实验十三扫描电镜X射线能谱分析 130

实验十五傅里叶变换红外光谱法(FTIR)测定硅中杂质氧的含量 146

实验十六原子吸收光谱分析 152

实验十七X射线光电子能谱分析 167

实验十八低压化学气相淀积多晶硅 177

实验十九用SiH4-NH3淀积氮化硅 186

实验二十等离子增强化学气相淀积氧化硅 190

实验二十一金属有机化学气相淀积(MOCVD)钛酸铅 195

实验二十二多孔硅材料的制备 204

实验二十三通用有限元软件ANSYS推焊球应力分析 210

实验二十四集成电路CAD基础 217

购买PDF格式(9分)
返回顶部