- 作 者：史常忻著
- 出 版 社：上海：上海交通大学出版社
- 出版年份：2000
- ISBN：7313024142
- 标注页数：116 页
- PDF页数：125 页
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目 录 1
第一章绪论 1
§1.1 高速大容量光纤通信中光电探测器的发展 1
§1.2金属—半导体—金属（MSM）光电探测器的 4
发展和特点 4
第二章金属—半导体—金属光电探测器原理和设计 12
§2.1 MSM光电探测器的器件结构和工作原理 12
§2.2直流电流—电压特性和光电流响应 16
§2.2.1直流电流—电压特性 16
§2.2.2电容—电压特性 24
§2.2.3光电流响应 26
§2.3.1 量子效率 28
§2.3 MSM光电探测器的主要参量及其物理意义 28
§2.3.2直流光电响应（光电灵敏度） 29
§2.3.3平带电压和击穿电压 29
§2.3.4暗电流 30
§2.3.5响应波长 30
§2.3.6电容 30
§2.3.7截止频率 32
§2.4 MSM光电探测器的等效电路和噪音特性 33
§2.5 MSM光电探测器结构与各参量的关系 36
§2.5.1 电极结构与时间常数的关系 36
§2.5.2量子效率 38
§2.5.3有源层厚度的影响 40
§2.6 MSM光电探测器特性的数值分析 46
§2.6.1 交叉指状电极结构器件中的电场分布 46
§2.6.2电流传输特性 48
§3.1 长波长MSM光电探测器的问题和解决 55
第三章具有肖特基势垒增强层的MSM光电探测器 55
§3.2 肖特基势垒增强理论和技术 57
§3.2.1 采用高浓度的薄反型层提高有效势垒高度 57
§3.2.2介质薄膜对有效肖特基势垒的增高 62
§3.3具有肖特基势垒增强层的MSM光电探测器 65
的特性 65
§3.3.1 直流特性 65
§3.3.2瞬态特性 67
§3.4双重势垒增强技术 71
§4.1 器件的一般工艺流程 76
§4.1.1 基片外延生长工艺 76
第四章金属—半导体—金属光电探测器的工艺和测试 76
§4.1.2器件制造工艺 80
§4.2器件测试 82
§4.2.1 直流参量测试 82
§4.2.2 工艺对器件特性的影响 86
§4.2.3瞬态特性测量 88
第五章金属—半导体—金属光电探测器的发展前景 91
§5.1新型器件结构的发展 91
§5.2 OEIC中的MSM光电探测器 98
§5.3 MSM器件结构在其他领域中的应用 109
附录 113
附录1 Gax Inlx Asy Ply合金的物理特性 113
附录2 不同组分的Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体禁带宽度与晶格常数的关系（300K） 115
附录3 一些金属的电阻率及温度的关系 116