射频电路工程设计

第一部分 单个射频模块 2

第1章 低噪声放大器 2

1．1 引言 2

1．2 单端单管低噪声放大器 3

1．3 单端级联低噪声放大器 29

1．4 带自动增益控制（AGC）性能的低噪声放大器 47

参考文献 51

第2章 混频器 53

2．1 引言 53

2．2 无源混频器 55

2．3 有源混频器 62

2．4 设计方案 71

附录 77

参考文献 78

第3章 差分对 80

3．1 为什么需要差分对 80

3．2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗 85

3．3 差分对电路的基本原理 88

3．4 CMRR（共模抑制比） 95

附录 102

参考文献 106

第4章 射频巴仑 108

4．1 引言 108

4．2 变压器巴仑 110

4．3 LC巴仑 127

4．4 微带线巴仑 133

4．5 混合巴仑 136

附录 138

参考文献 151

第5章 调谐滤波器 153

5．1 通信系统中的调谐滤波器 153

5．2 两个谐振回路间的耦合 155

5．3 电路描述 158

5．4 第二耦合的效果 159

5．5 性能 162

参考文献 165

第6章 压控振荡器 166

6．1 “三点”式振荡器 166

6．2 其他单端振荡器 170

6．3 压控振荡器与锁相环 173

6．4 单端VCO的设计实例 180

6．5 差分VCO与四相制VCO 187

参考文献 190

第7章 功率放大器 192

7．1 功率放大器的分类 192

7．2 单端型功率放大器设计 195

7．3 单端型功率放大器集成电路设计 198

7．4 推挽式功率放大器设计 199

7．5 带温度补偿的功率放大器 217

7．6 带输出功率控制的功率放大器 218

7．7 线性功率放大器 220

参考文献 222

第二部分 设计技术和技巧 226

第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法 226

8．1 数模两类电路的分歧 226

8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别 228

8．3 结论 230

8．4 高速数字电路设计的注意点 230

参考文献 231

第9章 电压与功率传输 232

9．1 电压从源传输到负载 232

9．2 功率从源传输到负载 236

9．3 阻抗共轭匹配 243

9．4 阻抗匹配的附加作用 250

附录 257

参考文献 260

第10章 窄带阻抗匹配 261

10．1 引言 261

10．2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配 262

10．3 由单个元件构成的阻抗匹配网络 266

10．4 两个元件构成的阻抗匹配网络 268

10．5 由三个元件构成的阻抗匹配网络 274

10．6 当Zs或ZL不为50Ω时的阻抗匹配 278

10．7 阻抗匹配网络中的元件 282

附录 283

参考文献 304

第11章 宽带阻抗匹配 305

11．1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗 305

11．2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化 309

11．3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化 314

11．4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配 318

11．5 宽带阻抗匹配网络的讨论 337

参考文献 339

第12章 器件的阻抗和增益 340

12．1 引言 340

12．2 密勒效应 341

12．3 双极晶体管的小信号模型 344

12．4 CE（共射）结构的双极晶体管 346

12．5 CB（共基）结构的双极晶体管 356

12．6 CC（共集）结构的双极晶体管 365

12．7 MOSFET晶体管的小信号模型 370

12．8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点 373

12．9 CS（共源）结构的MOSFET晶体管 382

12．10 CG（共栅）结构的MOSFET晶体管 389

12．11 CD（共漏）结构的MOSFET晶体管 393

12．12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较 396

参考文献 398

第13章 阻抗测量 399

13．1 引言 399

13．2 标量电压测量与矢量电压测量 399

13．3 采用网络分析仪直接测量阻抗 402

13．4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法 409

13．5 借助环形器进行阻抗测量 411

附录 412

参考文献 413

第14章 接地 414

14．1 接地的含义 414

14．2 隐藏在原理图中可能的接地问题 415

14．3 不良或不合适的接地举例 416

14．4 “零”电容 420

14．5 1/4波长微带线 428

附录 434

参考文献 439

第15章 接地面的等势性和电流耦合 440

15．1 接地面的等势性 440

15．2 前向和反向电流耦合 447

15．3 具有多层金属层的PCB或IC芯片 454

附录 455

参考文献 459

第16章 射频集成电路（RFIC）与片上系统（SoC） 460

16．1 干扰和隔离 460

16．2 使用金属盒屏蔽射频模块 462

16．3 发展射频集成电路的强烈需求 463

16．4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号 463

16．5 抑制来自外部空间的干扰的方法 468

16．6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则 469

16．7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈 470

16．8 片上系统的前景 474

16．9 下一个是什么 475

附录 477

参考文献 481

第17章 产品设计的可制造性 484

17．1 引言 484

17．2 6σ设计的含义 486

17．3 逼近6σ设计 488

17．4 蒙特卡洛分析 491

附录 496

参考文献 501

第三部分 射频系统分析 504

第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析 504

18．1 引言 504

18．2 功率增益 505

18．3 噪声 513

18．4 非线性 522

18．5 其他参量 541

18．6 射频系统分析示例 543

附录 544

参考文献 549