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- 作 者：上海半导体器件研究所编辑
- 出 版 社：上海半导体器件研究所
- 出版年份：1980
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一、半导体工艺技术的回顾与展望 1
二、氧化物隔离技术的若干方面 6
三、窄沟道场效应晶体管的阈值电压 14
四、多路选通液晶显示 21
五、工艺改进使利用硅—蓝宝石工艺制作的CMOS进入商用阶段 30
六、一种新的自对准接触工艺 39
七、离子注入硅和其它材料的激光退火效应 41
八、扩散砷的硅的热氧化 52
九、等离子体氧化氮化物MOS结构的特性 61
十、与注入顺序有关的再分布效应 67
十一、堆垛层错对MOS存储器刷新时间的有害影响 71
十二、集成电路中铝与N-型多晶硅界面处多晶硅溶解作用与接触电阻的减小 78
十三、硼在多晶硅中的横向扩散及其对制作亚微米MOS晶体管的影响 84
十四、MOS LSI钝化的活性等离子体淀积氮化硅薄膜 94
十五、冷却效果高、装配简单的大规模集成电路管壳—四列直插式封装 108