半导体器件新工艺新技术译文集

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一、半导体工艺技术的回顾与展望 1

二、氧化物隔离技术的若干方面 6

三、窄沟道场效应晶体管的阈值电压 14

四、多路选通液晶显示 21

五、工艺改进使利用硅—蓝宝石工艺制作的CMOS进入商用阶段 30

六、一种新的自对准接触工艺 39

七、离子注入硅和其它材料的激光退火效应 41

八、扩散砷的硅的热氧化 52

九、等离子体氧化氮化物MOS结构的特性 61

十、与注入顺序有关的再分布效应 67

十一、堆垛层错对MOS存储器刷新时间的有害影响 71

十二、集成电路中铝与N-型多晶硅界面处多晶硅溶解作用与接触电阻的减小 78

十三、硼在多晶硅中的横向扩散及其对制作亚微米MOS晶体管的影响 84

十四、MOS LSI钝化的活性等离子体淀积氮化硅薄膜 94

十五、冷却效果高、装配简单的大规模集成电路管壳—四列直插式封装 108