- 作 者：李薇薇，王胜利，刘玉岭编著
- 出 版 社：北京：化学工业出版社
- 出版年份：2007
- ISBN：7502595201
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1 硅材料及硅化合物化学性质 1
1.1 硅单晶的化学性质 1
1.2 硅化合物的化学性质 3
1.3 高纯硅制备的化学原理 20
参考文献 23
2 微电子技术中的高纯水制备 24
2.1 天然水中的杂质 24
2.2 微电子技术工程用水 27
2.3 离子交换法制备纯水 31
2.4 电渗析法制备纯水的原理 37
2.5 反渗透法制备纯水的原理 41
参考文献 50
3 微电子技术中的化学清洗 52
3.1 晶片表面清洗的重要性 52
3.2 晶片清洗的基本理论和方法 55
3.3 颗粒吸附状态分析及优先吸附模型 58
3.4 表面活性剂在化学清洗中的应用 61
3.5 硅片清洗的常用方法与技术 63
3.6 清洗工艺设备和安全操作 71
3.7 溶液清洗技术的现状和发展方向 73
3.8 新型清洗技术 76
参考文献 79
4 氧化工艺技术 81
4.1 二氧化硅膜在器件中的作用 81
4.2 二氧化硅的结构和性质 82
4.3 二氧化硅膜制备的化学原理 85
4.4 二氧化硅硅界面的物理性质 101
4.5 二氧化硅玻璃中的杂质 102
4.6 杂质在二氧化硅中的扩散 106
4.7 二氧化硅膜质量的检验 109
参考文献 113
5 扩散工艺技术 114
5.1 扩散原理与模型 114
5.2 常用扩散杂质的化学性质 119
5.3 扩散分布的测量分析 123
参考文献 127
6 刻蚀工艺技术 129
6.1 湿法刻蚀 129
6.2 干法刻蚀 133
6.3 刻蚀技术新进展 142
参考文献 146
7 制版工艺技术 148
7.1 制版工艺过程 148
7.2 超微粒干版制备的化学原理 151
7.3 铬版制备技术 157
7.4 氧化铁版制备的化学原理 161
参考文献 168
8 外延生长技术 169
8.1 硅外延技术在IC发展中的作用 169
8.2 硅外延生长的化学原理 173
8.3 外延生长动力学 176
8.4 外延层中杂质浓度分布 180
8.5 硅烷热分解法外延与选择外延 184
8.6 外延层上的缺陷及检验 185
8.7 硅外延自掺杂效应及控制 190
8.8 硅外延片滑移线产生及消除技术 193
8.9 硅外延生长的工艺优化——反向补偿法 196
参考文献 199
9 金属化处理技术 201
9.1 化学气相沉积金属过程 201
9.2 物理气相沉积金属过程 214
9.3 电极制备 218
参考文献 231
10 电子封装技术 234
10.1 封装技术概述 234
10.2 陶瓷封装 237
10.3 塑料封装 242
10.4 封装的化学原理 247
参考文献 257