- 作 者：赵晓锋著
- 出 版 社：湘潭：湘潭大学出版社
- 出版年份：2009
- ISBN：9787811291261
- 标注页数：246 页
- PDF页数：255 页
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第1章 绪论 1
1.1 引言 1
1.2 多功能传感器研究现状 2
1.3 MOSFET压力传感器研究现状 11
1.4 MSFET磁传感器研究现状 17
1.5 纳米硅/单晶硅异质结研究现状 21
1.6 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究目的和意义 23
1.7 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究的主要内容 24
第2章 纳米硅薄膜制备及表征研究 27
2.1 纳米硅薄膜 27
2.2 PECVD制备多晶硅薄膜 28
2.3 LPCVD制备纳米硅薄膜 33
2.4 小结 48
第3章 MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析 49
3.1 MOSFETs压/磁多功能传感器理论模型 49
3.2 MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析 50
3.3 小结 59
第4章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式 61
4.1 半导体材料压阻效应基本理论 62
4.2 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计 70
4.3 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构电源激励方式 96
4.4 小结 99
第5章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器磁敏结构设计和工作原理 101
5.1 霍尔效应 101
5.2 纳米硅/单晶硅异质结p—MOSFET Hall器件基本结构及工作原理 103
5.3 纳米硅/单晶硅异质结p—MOSFET Hall器件串联输出结构及工作原理 105
5.4 小结 107
第6章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器基本结构与制作工艺 109
6.1 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器基本结构 109
6.2 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器制作工艺 110
6.3 小结 117
第7章 实验结果与讨论 118
7.1 纳米多晶硅薄膜压阻特性 119
7.2 纳米硅/单晶硅异质结p—MOSFET特性 140
7.3 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏特性 159
7.4 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器磁敏特性 189
7.5 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压/磁特性 223
7.6 小结 224
第8章 结论 228
参考文献 234