人工物性剪裁半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索

文档类型

价格(积分)

购买连接

试读

PDF格式

1、本站所有的书默认都是PDF格式，该格式图书只能阅读和打印，不能再次编辑。

2、除分上下册或者多册的情况下，一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源241 ≥218页】

1、所有的电子图书为PDF格式，支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读；可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。

2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)

3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。

绪论 1

1.人工剪裁异质结、量子阱和超晶格结构的生长 5

1.1 MBE 技术的发展历史 5

1.2 MBE 生长原理 7

1.3 MBE 设备的基本配置结构 8

1.4 MBE 生长的半导体材料类型 10

1.5 MBE 生长的几种关键技术 11

1.6 几种典型的超晶格、量子阱材料体系及其应用 22

1.7 SiGe/Si 异质结、超晶格 29

2.一维、零维结构的获得 44

2.1 制备一维、零维结构的微加工技术 46

2.2 零维、一维结构的 MBE 正直接生长 51

2.3 量子点的团簇合成 58

3.低维半导体结构的光学性质 60

3.1 低维半导体结构的线性光学性质 60

3.2 量子霍耳效应的光学探测 94

3.3 低维半导体结构的非线性光学性质 107

3.4 固体微腔的光学性质 116

4.半导体低维结构的输运性质 122

4.1 半导体异质结结构中二维电子气的一般输运性质 122

4.2 二维系统中的弱局域化现象 125

4.3 二维体系在强磁场中的输运性质 134

4.4 半导体低维小结构中的输运现象 158

4.5 半导体低维结构中的纵向输运 191

人工物性剪裁 半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索