- 作 者：（日）犬石嘉雄等著；周纯康译
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1986
- ISBN：13031·3265
- 标注页数：499 页
- PDF页数：358 页
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目录 289
第七章 半导体界面物理 289
§37 半导体表面的特性 289
§38 半导体表面（清洁表面和实际表面） 289
§39 p-n结 294
39.1 p-n结的能带图 294
39.2 p-n结的过渡区和势垒电容 298
39.3 p-n结的扩散电流和整流特性 303
39.4 p-n结的过剩电流 307
39.5 p-n结的强电场现象 312
§40 异质结 320
40.1 异质结及其界面 320
40.2 异质结的阻挡层 325
40.3 异质结阻挡层的特性 328
§41 金属-半导体界面 329
41.1 金属表面和肖特基效应 329
41.2 肖特基势垒 333
41.3 肖特基势垒的整流特性 337
41.4 金属和半导体的欧姆接触 339
§42 半导体-电介质界面 340
§43 晶粒间界 345
习题 348
第八章 半导体电子器件物理 351
§44 肖特基势垒二极管（SBD） 351
§45 齐纳二极管和江崎二极管 355
§46 双极型晶体管 360
46.1 晶体管作用 360
46.2 结型晶体管的原理和静态特性 361
46.3 工作特性和α＊，β，γ 365
46.4 α截止频率和优值 368
46.5 漂移晶体管 372
§47 闸流晶体管 374
47.1 闸流晶体管及其种类 374
47.2 可控硅的工作原理和电压-电流特性 376
§48 单极晶体管 380
48.1 场效应晶体管原理 380
48.2 结栅型场效应晶体管 381
48.3 绝缘栅型场效应晶体管 383
§49＊ 电荷转移器件 389
49.1 CCD 390
49.2 BBD 396
§50 MOS存贮器件 397
50.1 半导体不挥发性存贮器 397
50.2 MNOS存贮器件 398
§ 51 渡越时间器件 402
§52 转移电子器件 408
52.1 谷间转移和负微分迁移率 408
52.2 高场畴和电流振荡 410
52.3 微波振荡器件 413
52.4 功能逻辑器件 415
§53 表面声波器件 416
习题 419
第九章 光电子器件物理 422
§54 光电探测器 422
54.1 光敏电阻 422
54.2 光电二极管 427
54.3 高速光电二极管 432
54.4 太阳电池 434
55.1 注入型电致发光 440
§55 半导体发光器件 440
55.2 发光二极管（LED） 444
55.3 半导体激光器 447
55.4 本征发光和本征发光器件 456
§56＊ 布里渊散射和光偏向器件 460
第十章＊ 无定形半导体的物理性质 464
§57 无定形半导体的特征 464
§58 无定形半导体的基本性质 466
§59 无定形半导体的状态密度 469
60.1 迁移率隙和能带传导迁移率 471
§60 无定形半导体的电学性质 471
60.2 经过定域态能级的载流子迁移 473
60.3 强电场现象 479
§61 无定形半导体的光学性质 483
§62 可逆相变 486
§63 内部积蓄能量及性质的变化 489
参考文献 494
参考书 495
习题解答和提示 496
主要半导体的电子物理常数 498