- 作 者：马特瑞（Matare，H.F.）著；高凤开，龚秀英等译
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1987
- ISBN：13031·3435
- 标注页数：712 页
- PDF页数：723 页
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第一章 引言 1
第二章 荷电载流子的输运原理 6
2.1 波在周期性和近于周期性结构中的传播 6
2.2 布里渊区，布洛赫波函数 14
2.3 周期场中的电子(能带论) 28
2.4 施主和受主 34
2.5 复合 39
2.6 光子、声子和电子 44
2.7 缺陷电子 49
2.8 有效质量 54
2.9 带间跃迁 61
2.10 散射 66
第三章 晶体缺陷的分类 80
第四章 线性延伸和平面延伸的不完整性——位错 95
4.1 刃型位错 97
4.2 系属和小角度晶界 104
4.3 螺型位错 107
4.4 孪生 110
4.5 位错平面 116
第五章 位错的连续性理论 121
第六章 辐照损伤与位错 127
第七章 位错平面的主要力学性质 147
7.1 应力场和应变能 147
7.2 晶粒间界能及稳定性 155
第八章 半导体中位错的基本电学性质 165
8.1 孪晶界的电学特性 168
8.2 螺型位错 176
8.3 刃型位错 179
8.4 小角度系属和晶粒间界 185
8.5 关于主晶格的差别 191
第九章 荷电载流子输运的各向异性 196
9.1 刃型位错管道 196
9.2 由位错引起的散射作用(统计分布) 207
9.3 刃型位错及其产生的空间电荷 221
9.4 位错中心的电子占有率 240
9.5 位错和非辐射复合 253
9.6 位错和辐射复合 267
9.7 电噪声和位错 276
第十章 位错间界的电学性质 285
10.1 系属间界 285
第十一章 小角度和中角度晶粒间界 295
11.1 薄片电导 295
11.2 晶粒间界势垒 317
11.3 霍尔效应数据 345
11.4 磁阻效应 352
11.5 输运的各向异性 366
11.6 场效应 380
11.7 光电效应 390
第十二章 位错的控制生长 407
12.1 范性形变 407
12.2 双籽晶技术 409
12.3 双晶的生长和完整性 423
12.4 晶粒间界扩散和杂质分布 434
第十三章 器件应用 448
13.1 光电方面(测微术)的应用 448
13.2 光电频率转换器 455
13.3 位错场效应晶体管 468
13.4 应力-应变传感器 477
第十四章 位错与半导体器件的电学性质 485
14.1 结型器件中位错概述 486
14.2 位错与半导体激光器的退化 504
14.3 体器件中的位错 508
14.4 在同质和异质外延中产生的位错 515
第十五章 无定形半导体中的位错和沟道导电 561
第十六章 结论 593
附录 半导体晶体和薄膜的电学性质的测量 596
符号 675
参考文献 686