- 作 者：王守国编著
- 出 版 社：北京：机械工业出版社
- 出版年份：2017
- ISBN：9787111558026
- 标注页数：293 页
- PDF页数：309 页
请阅读订购服务说明与试读!
订购服务说明
1、本站所有的书默认都是PDF格式，该格式图书只能阅读和打印，不能再次编辑。
2、除分上下册或者多册的情况下，一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源309 ≥293页】
图书下载及付费说明
1、所有的电子图书为PDF格式，支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读；可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。
2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)
3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。
第1章 模拟集成电路中的无源元件 1
1.1 模拟集成电路的工艺基础 1
1.2 模拟集成电路中的电阻 8
1.3 模拟集成电路中的电容 16
1.4 模拟集成电路中的电感 24
习题 35
第2章 结型栅场效应晶体管 36
2.1 JFET的基本原理 36
2.2 JFET的伏安特性 40
2.3 JFET的直流和交流参数 43
2.4 MESFET的特性 46
2.5 场相关迁移率特性 48
2.6 结型栅场效应管的频率特性 53
2.7 器件的噪声特性 58
2.8 JFET和MESFET的结构举例 61
习题 66
第3章 MOSFET 67
3.1 MOSFET的结构和类型 68
3.2 MOSFET的阈值电压 72
3.3 MOSFET的伏安特性 80
3.4 MOSFET的交流小信号特性 87
3.5 MOSFET的交流小信号等效电路和频率特性 96
3.6 MOSFET的噪声特性 101
3.7 MOSFET的击穿特性 104
3.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件的结构 111
3.9 MOSFET的温度特性 117
3.10 短沟道效应 120
3.11 场效应晶体管的设计 129
习题 134
第4章 CCD 136
4.1 CCD的工作原理 136
4.2 CCD的基本参数 144
4.3 成像原理 148
4.4 CCD的改进方式 150
4.5 CCD在模拟电路中的应用 151
习题 153
第5章 模拟集成电路器件参数的提取 154
5.1 欧姆接触的有关参数 154
5.2 MOSFET的有关参数提取 159
5.3 MESFET的有关参数提取 168
习题 175
第6章 CMOS放大器 176
6.1 模拟电路中的MOS器件模型 177
6.2 共源级放大器 182
6.3 共源共栅级 198
6.4 差分放大器 204
习题 211
第7章 集成运算放大器 212
7.1 集成运算放大器的构建 212
7.2 集成运算放大器基本模块分析 217
7.3 集成运算放大器的设计 223
7.4 集成CMOS运算放大器版图设计 227
7.5 集成CMOS运算放大器的实现 232
习题 237
第8章 集成功率放大器 238
8.1 功率放大器的特性和典型电路 238
8.2 集成功率放大器实现的制约分析与设计 251
8.3 全集成CMOS功率放大器的实现 255
8.4 功率放大器的尽限问题 261
8.5 功率放大器研制的新进展 265
习题 268
第9章 半导体制造技术 269
9.1 半导体工艺的发展及CMOS工艺流程 269
9.2 半导体工艺主要工序 280
习题 291
附录 常用物理参数 292
参考文献 293