- 作 者：中国科学技术情报研究所编辑
- 出 版 社：北京：科学技术文献出版社
- 出版年份：1976
- ISBN：15176·87
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一、半导体 1
引言 1
（一）半导体材料方面 2
（二）集成电路技术方面 6
（三）光电器件方面 8
（四）特殊器件与新工艺方面 10
（五）半导体物理方面 11
二、晶体生长 13
（一）概况 13
（二）晶体材料情况 13
（三）晶体生长的某些工艺技术 14
（四）晶体生长的理论工作 16
三、晶体结构 17
（一）X射线光源 17
（二）探测技术 17
（三）结构分析自动化 18
（四）中子衍射 20
四、磁学 20
（一）强磁场和极弱磁场技术及其应用 21
（二）磁泡材料和器件的研究 22
（三）非晶态合金 23
（四）墨水（磁性液体）喷射技术 24
（五）稀土硫属化合物 24
（六）短程磁有序合金的研究 25
（七）磁共振 26
（八）穆斯包尔效应 28
（九）临界现象、磁相图（磁相变）及磁结构 29
五、固体表面研究情况 32
六、高压物理 37
（一）概况 37
（二）固体在高压下的结构与相变的研究 38
（三）固体状态方程的研究 39
（四）金属氢的研究 40
（五）高压下矿物的合成与其性质的研究 40
（六）高压技术 41
（一）理想导电材料 42
七、超导 42
（二）约瑟夫逊结器件 44
（三）超导计算机等 45
八、光谱工作 46
（一）激光拉曼散射 46
（二）可调激光 47
（三）付里叶变换光谱 47
九、其它 48
（一）特殊材料 48
（二）新器件 50
（三）新实验技术 50