- 作 者：郭维廉编
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1982
- ISBN：15034·2405
- 标注页数：195 页
- PDF页数：201 页
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第一章 半导体表面空间电荷层的基本性质 1
1.1 表面空间电荷层及其电场、电荷密度和电容 1
1.2 表面空间电荷层的六种基本状态 8
1.3 表面过剩载流子浓度、表面电导、沟道电导 19
1.4 表面散射和表面迁移率 26
1.5 表面量子化效应 31
第二章 MOS结构的电容-电压特性 36
2.1 用近似方法分析理想MOS结构的电容-电压特性 37
2.2 实际MOS结构的电容-电压特性 44
2.3 不均匀掺杂衬底MOS结构的电容-电压特性 55
2.4 禁带中深能级对MOS结构电容-电压特性的影响 62
2.5 MOS结构电容-电压特性的几种理论模型 67
第三章 硅-二氧化硅系统的电荷和陷阱 73
3.1 二氧化硅层中的可动离子电荷 73
3.3 硅-二氧化硅界面的界面陷阱电荷 85
3.4 氧化物陷阱电荷 97
3.5 二氧化硅层上的离子 97
4.1 硅-二氧化硅界面过渡层的微观结构 103
第四章 硅-二氧化硅界面的结构、杂质和缺陷 103
4.2 硅-二氧化硅界面杂质的性质 104
4.3 硅-二氧化硅界面附近的缺陷 110
第五章 半导体表面电学测量 122
5.1 用MOS结构高频电容-电压特性测量界面电荷 122
5.2 用MOS结构电容-电压特性确定导电类型，测量硅衬底杂质浓度与杂质浓度分布 132
5.4 用离子电流法测量二氧化硅层中的可动离子密度 144
5.5 用准静态电容-电压特性测量界面陷阱密度 147
5.6 用交流电导法测量界面陷阱密度 154
6.1 非平衡pn结的表面空间电荷层与栅控二极管 162
第六章 硅-二氧化硅界面对半导体器件参数的影响 162
6.2 半导体表面对pn结反向电流的影响 165
6.3 半导体表面对晶体管参数hFE的影响 169
6.4 表面电场对pn结击穿电压的影响和击穿电压蠕变现象 173
6.5 半导体表面对MOS器件参数的影响 181
附录 187
附录一 符号表 187
附录二 物理常数表 192
附录三 硅、二氧化硅的重要性质(27℃) 192
附录四 习题 193