- 作 者：黄昆，韩汝琦著
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1979
- ISBN：13031·991
- 标注页数：391 页
- PDF页数：398 页
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第一章 掺杂半导体的导电性 1
第一节 掺杂和载流子 1
第二节 电导率和电阻率 5
第三节 迁移率 13
第四节 测量电阻率的四探针方法 21
第五节 扩散薄层的方块电阻 26
第二章 能级和载流子 37
第一节 量子态和能级 39
第二节 多子和少子的热平衡 51
第三节 费米能级 59
第四节 电子的平衡统计分布规律 73
第五节 非平衡载流子的复合 89
第六节 非平衡载流子的扩散 101
第三章 PN结 110
第一节 PN结的电流-电压关系 110
第二节 空间电荷区中的复合和产生电流 126
第三节 晶体管的电流放大作用 140
第四节 高掺杂的半导体和PN结 149
第五节 PN结的击穿 158
第六节 PN结的电容效应 186
第七节 金属-半导体接触 198
第四章 半导体表面 221
第一节 表面空间电荷区及反型层 222
第二节 MIS电容器——理想C(V)特性 233
第三节 实际MIS电容器的C(V)特性及应用 249
第四节 硅-二氧化硅系统的性质 261
第五节 MOS场效应晶体管 269
第六节 电荷耦合器件 288
第五章 晶格和缺陷 304
第一节 晶格 305
第二节 空位和间隙原子 332
第三节 位错 343
第四节 层错 364
第五节 相变和相图 375