半导体物理基础

作者：黄昆，韩汝琦著
出版社：北京：科学出版社
出版年份：1979
ISBN：13031·991
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第一章掺杂半导体的导电性 1

第一节掺杂和载流子 1

第二节电导率和电阻率 5

第三节迁移率 13

第四节测量电阻率的四探针方法 21

第五节扩散薄层的方块电阻 26

第二章能级和载流子 37

第一节量子态和能级 39

第二节多子和少子的热平衡 51

第三节费米能级 59

第四节电子的平衡统计分布规律 73

第五节非平衡载流子的复合 89

第六节非平衡载流子的扩散 101

第三章 PN结 110

第一节 PN结的电流-电压关系 110

第二节空间电荷区中的复合和产生电流 126

第三节晶体管的电流放大作用 140

第四节高掺杂的半导体和PN结 149

第五节 PN结的击穿 158

第六节 PN结的电容效应 186

第七节金属-半导体接触 198

第四章半导体表面 221

第一节表面空间电荷区及反型层 222

第二节 MIS电容器——理想C(V)特性 233

第三节实际MIS电容器的C(V)特性及应用 249

第四节硅-二氧化硅系统的性质 261

第五节 MOS场效应晶体管 269

第六节电荷耦合器件 288

第五章晶格和缺陷 304

第一节晶格 305

第二节空位和间隙原子 332

第三节位错 343

第四节层错 364

第五节相变和相图 375