- 作 者：七○三厂编
- 出 版 社：天津市科技局革委会情报组
- 出版年份：1971
- ISBN：
- 标注页数：74 页
- PDF页数：78 页
请阅读订购服务说明与试读!
订购服务说明
1、本站所有的书默认都是PDF格式，该格式图书只能阅读和打印，不能再次编辑。
2、除分上下册或者多册的情况下，一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源78 ≥74页】
图书下载及付费说明
1、所有的电子图书为PDF格式，支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读；可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。
2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)
3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。
目录 1
第一章 基本理论 1
§1．点缺陷 1
§2．位错——线缺陷 2
1．两种简单的位错型 2
2．位错产生的简单机构 4
（1）位错的遗传 4
（2）位错的增殖 4
§3．点缺陷与位错的交互作用 6
§4．半导体硅上的位错 7
1．金刚石结构中的简单位错 7
2．金刚石结构中的混合位错 8
§5．单晶生长过程中位错的产生 10
1．从籽晶引入的位错 10
2．在晶体生长过程中引起的位错 10
§6．达希（W．C．Dash）理论的局限性及我们的看法 13
§7．位错对半导体电学性质的影响 15
§8．位错对原子过程的作用 17
§1．位错排与星形结构 18
第二章 半导体硅单晶中各种具体的缺陷之腐蚀图象分析 18
§2．小角晶界及系属结构 20
§3．边界线 21
§4．反向生长；枝蔓结构与网状结构 22
§5．亚结构与蛛网状结构 23
§6．辉纹与管道 24
第三章 硅单晶的腐蚀图象显示法 29
§1．硅单晶（111）面位错的显示法 29
§2．硅单晶（100）面位错显示法 31
§3．硅单晶生长前沿显示法 31
1．空间坐标中的各种晶面与晶向 34
附录： 34
2．常用物理数值表 35
3．硅在常温下主要的固有物性 36
4．硅中各种杂质的能级 37
5．有关杂质在硅中的分凝系数 38
6．有关杂质在硅中的挥发 38
7．有关杂质在硅中的扩散 39
8．硅中杂质的固相溶解度 40
9．硅单晶的定向籽晶的制备 42
10．硅中载流子浓度与电阻率的关系 43