点此搜书

离子注入讲义  离子注入工艺部分  上
  • 作 者:北京师范大学物理系
  • 出 版 社:北京师范大学物理系
  • 出版年份:1977
  • ISBN:
  • 标注页数:103 页
  • PDF页数:108 页
  • 请阅读订购服务说明与试读!

文档类型

价格(积分)

购买连接

试读

PDF格式

7

立即购买

点击试读

订购服务说明

1、本站所有的书默认都是PDF格式,该格式图书只能阅读和打印,不能再次编辑。

2、除分上下册或者多册的情况下,一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源108 ≥103页】

图书下载及付费说明

1、所有的电子图书为PDF格式,支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读;可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。

2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)

3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。

目录 1

第一章 绪论 1

第一节 半导体离子注入技术简介 1

第二节 半导体基础知识简介 10

第二章 注入离子在半导体中的射程分布 27

第一节 有关射程分布的几个基本概念 27

第二节 非晶靶中的射程分布 28

第三节 非晶靶中的浓度分布的应用实例 39

第四节 理论与实验的比较 54

第五节 单晶靶中的射程分布 62

第三章 晶?的损伤和退火 72

第一节 幅射损伤 72

第二节 退火 83

第三节 增强扩散效应及其应用 109

购买PDF格式(7分)
返回顶部