- 作 者：黄章勇编著
- 出 版 社：北京：北京邮电大学出版社
- 出版年份：2005
- ISBN：7563509658
- 标注页数：306 页
- PDF页数：315 页
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目录 1
第1章 器件与工艺技术物理基础 1
1.1 能带概念 1
1.2 本征半导体与态密度 3
1.3 施主与受主 4
1.4 杂质电离 5
1.5 载流子的运动 6
1.6 p-n结 10
1.7 p-n结击穿 20
1.8 异质结 26
第2章 光电子器件的基本结构及其关键制作工艺 38
2.1 激光二级管的基本结构和制作 38
2.2 光电探测器的结构和制作 47
2.3 半导体放大器的结构和制作 50
2.4 光调制器的结构与制作 51
2.5 半导体光开关的结构和制作 57
2.6 集成光电子器件的结构和制作 60
第3章 光电子器件的材料制备技术 64
3.1 基底片制备 64
3.2 光电子器件用Si基材料的制备 70
3.3 光电子器件用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料和外延生长 82
3.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物的液相外延生长 87
3.5 Ⅲ-Ⅴ族化合物的卤化物输运汽相外延生长 103
3.6 金属有机化合物汽相淀积 108
3.7 分子束外延生长 122
3.8 化学束外延生长 130
3.9 原子层、分子层外延生长 134
3.10 Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料的制备技术 135
3.11 光子晶体薄膜及其制备 137
3.12 异质材料的晶片键合技术 140
3.13 光电子器件外延层质量检测 144
第4章 光电子器件制作中的光刻和腐蚀 148
4.1 UV光刻 148
4.2 电子束光刻 158
4.3 X射线光刻 168
4.4 纳米印刷光刻 172
4.5 飞秒激光脉冲直接光刻 174
4.6 光栅制作 175
4.7 湿法化学腐蚀蚀刻图形 179
4.8 干法腐蚀蚀刻图形 185
第5章 光电子器件的掺杂技术 197
5.1 扩散掺杂 197
5.2 离子注入掺杂 210
5.3 外延掺杂 218
第6章 光电子器件中的介质薄膜及其制备 220
6.1 光电子器件中的介质薄膜 220
6.2 介质膜的制备 227
第7章 光电子器件的电极金属膜及其制备 240
7.1 光电子器件对电极金属膜的要求 240
7.2 光电子器件的欧姆接触材料 241
7.3 光电子器件的金属化淀积技术 243
第8章 光电子器件和组件的组装和封装 246
8.1 光电子器件的组装 246
8.2 光电子组件的组装 261
8.3 光电子器件和组件的封装 268
第9章 光电子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和检测 289
9.1 光电子器件在晶体生长中造成的缺陷及其控制和检测 289
9.2 光电子器件制作过程中引入的缺陷 294
9.3 光电子器件工作过程中引入的缺陷反应 295
9.4 不合格器件的剔除 296
附录 英文缩写词 299
参考文献 303