
- 作 者:杨铁军主编
- 出 版 社:北京:知识产权出版社
- 出版年份:2015
- ISBN:9787513033466
- 标注页数:396 页
- PDF页数:424 页
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引言 1
关键技术一 存储区域网络 5
第1章 研究概况 11
第2章 存储区域网络专利总体状况分析 16
第3章 虚拟化专利分析 24
第4章 资源调度与故障恢复专利分析 53
第5章 EMC专利分析 79
第6章 IBM专利分析 95
第7章 专利并购与诉讼 111
第8章 结论与建议 142
关键技术二 闪存芯片 147
第1章 概述 153
第2章 编程抗干扰研究概况 157
第3章 3D Flash技术 179
第4章 重要申请人分析——东芝和闪迪的Flash联盟 202
第5章 专利诉讼 225
第6章 专利联盟(专利池) 238
第7章 结论及建议 256
第8章 附录 259
关键技术三 阻变存储器 265
第1章 研究概况 271
第2章 阻变存储器专利申请总览 276
第3章 阻变存储器存储结构专利分析 282
第4章 阻变存储器阻变材料专利分析 299
第5章 三星专利分析 319
第6章 美光专利分析 341
第7章 阻变存储器企业现状、收购及合作 360
第8章 结论与建议 376
附录 381
图索引 388
表索引 395