- 作 者：丁洪林，张秀凤编著
- 出 版 社：北京：原子能出版社
- 出版年份：1994
- ISBN：7502210652
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第一章 化合物半导体和在室温下工作的化合物半导体探测器 1
1．1 化合物半导体 1
1．2 化合物半导体与元素半导体Si、Ge间的差别及特点 3
1．2．1 化学键 3
1．2．2 晶体结构 4
1．2．3 杂质、缺陷和化学比 6
1．3 制备核辐射探测器对化合物半导体材料的要求 10
1．4 几种常用的半导体材料的性能参数 11
1．5 半导体核辐射探测器的分类和在室温下工作的半导体核辐射探测器的现状 15
1．5．1 半导体核辐射探测器的分类 15
1．5．2 可在室温下工作的半导体X、γ射线探测器的现状 16
参考文献 21
2．1 GaAs核辐射探测器的发展与现状 23
第二章 砷化镓(GaAs)核辐射探测器 23
2．2 GaAs核辐射探测器的制备与性能 24
2．2．1 用于制备核辐射探测器的GaAs单晶 24
2．2．2 GaAs核辐射探测器的制备和种类 25
2．2．3 GaAs表面势垒型核辐射探测器的I-V和C-V特性 28
2．2．4 GaAs核辐射探测器的能谱特性 32
参考文献 47
第三章 碲化镉(CdTe)核辐射探测器 48
3．1 CdTe核辐射探测器的发展与现状 48
3．2 CdTe核辐射探测器的制备与性能 50
3．2．1 用于CdTe核辐射探测器的CdTe单晶的生长和晶体中的主要缺陷 50
3．2．2 CdTe核辐射探测器的种类和它的制备工艺 53
3．2．3 CdTe核辐射探测器的I-V特性 57
3．2．4 CdTe核辐射探测器的能谱特性和性能数据 62
参考文献 68
4．1 引言 70
第四章 碘化汞(HgI2)核辐射探测器 70
4．2 用于核辐射探测器的HgI2单晶材料 71
4．3 HgI2核辐射探测器的制备与性能 72
4．3．1 HgI2核辐射探测器的制备 72
4．3．2 HgI2核辐射探测器的I-V和C-V特性 74
4．3．3 HgI2核辐射探测器的能谱特性 76
参考文献 80
第五章 化合物半导体探测器的应用 81
5．1 引言 81
5．2 在能谱测量中的应用 82
5．3 在核医学(医用探针和骨密度仪)中的应用 82
5．3．1 用于肿瘤定位的外科手术探针 83
5．3．2 骨密度仪 87
5．3．3 便携式区域性脑血流量实时分析系统 88
5．3．5 核医学手术刀——γ射线刀(简称γ刀) 89
5．3．4 核医学医疗剂量测定仪 89
5．4 在高能CT技术中的应用 90
5．5 在粒子物理学中的应用 92
5．6 在剂量测量中的应用 93
5．6．1 在核电站监控中的应用 93
5．6．2 在核辐射剂量测量中的应用 93
5．7 在核废物处理中的应用 97
5．8 在空间物理学和天体物理学中的应用 98
5．8．1 用于Soviet Mars任务中的X射线仪器 98
5．8．2 在天体物理学中的应用 103
5．9 在X射线闪光辐射照相和数字式照相中的应用 105
5．10 在皮秒X、γ射线快速脉冲诊断中的应用 109
5．11 在采煤工业中的应用 110
5．12 在γ射线成像技术中的应用 111
参考文献 114