
- 作 者:(美)普卢默(Plummer,J.D.)
- 出 版 社:北京:电子工业出版社
- 出版年份:2003
- ISBN:7505386387
- 标注页数:818 页
- PDF页数:837 页
请阅读订购服务说明与试读!
订购服务说明
1、本站所有的书默认都是PDF格式,该格式图书只能阅读和打印,不能再次编辑。
2、除分上下册或者多册的情况下,一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源837 ≥818页】
图书下载及付费说明
1、所有的电子图书为PDF格式,支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读;可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。
2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)
3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。
第1章 引言及历史展望 1
第2章 现代CMOS工艺技术 49
第3章 晶体生长、晶圆片制造及硅晶圆片的基本特性 93
第4章 半导体生产——洁净室、晶圆片清洗与吸杂 151
第5章 光刻 201
第6章 热氧化及硅/二氧化硅界面 287
第7章 杂质扩散 371
第8章 离子注入 451
第9章 薄膜淀积 509
第10章 刻蚀 609
第11章 后道工艺技术 681
附录 787
索引 805