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- 作 者：谢希德，阮刚编
- 出 版 社：上海市科学技术编译馆
- 出版年份：1964
- ISBN：62·231
- 标注页数：86 页
- PDF页数：89 页
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目 录 63
30．砷化镓二极管受激光发射器 岡田纯电一等 63
31．砷化镓半导体受激光发射器 成田信一郎 68
32．Ga(As1-xPx)结相干（可见）光发射 N.Holonyak,Jr．等 74
33．InAs二极管中的受激发射作用 I.Melngailis 75
34．InP受激光发射 K.Weiser等 77
35．磁调制连续InAs二极管受激发射器 I.Melngailis等 78
36．InP受激光发射器的一些性质 G.Burns等 80
37．(In3Ga1-x)As半导体二极管受激发射器 I.Melngailis等 81