- 作 者：武明堂，周晓华主编
- 出 版 社：西安：西安交通大学出版社
- 出版年份：1995
- ISBN：7560506704
- 标注页数：198 页
- PDF页数：206 页
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第一章 半导体中的电子状态 1
1-1 能带的形成 1
1-2 电子、空穴的有效质量 5
1-3 半导体的能带结构 8
1-4 半导体中杂质与缺陷能级 12
主要参考文献 18
第二章 热平衡载流子 19
2-1 热平衡载流子 19
2-2 掺杂半导体的载流子浓度 23
2-3 费米能级与杂质浓度和温度的关系 27
2-4 简并半导体 28
2-5 迁移率与杂质浓度和温度的关系 30
2-6 电阻率 33
2-7 霍耳效应 35
主要参考文献 37
第三章 非平衡载流子 38
3-1 非平衡载流子及其寿命 38
3-2 非平衡载流子的复合机制 42
3-3 陷阱效应 49
3-4 非平衡载流子的运动 51
主要参考文献 57
第四章 半导体表面、界面及接触现象 58
4-1 半导体表面效应 58
4-2 p-n结 66
4-3 金属半导体接触 74
4-4 半导体异质结和超晶格 78
主要参考文献 86
第五章 金属氧化物半导体基础 88
5-1 金属氧化物的晶体结构和能带结构 88
5-2 金属氧化物晶体中的点缺陷 95
5-3 质量作用定律 100
5-4 平衡点缺陷浓度与氧分压的关系 101
5-5 平衡点缺陷浓度与温度的关系 111
5-6 非化学计算金属氧化物量 112
5-7 金属氧化物晶体中的输运现象 116
主要参考文献 120
第六章 典型金属氧化物及其物理效应 122
6-1 氧化锌半导瓷及其物理效应 122
6-2 BaTiO3半导瓷及PTC效应 129
6-3 SrTiO3半导瓷及电容—压敏效应 136
6-4 SnO2、TiO2氧化物及气敏特性 139
6-5 过渡金属氧化物及NTC效应 144
主要参考文献 148
第七章 化合物半导体 149
7-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 149
7-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 155
7-3 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体 164
主要参考文献 165
第八章 非晶态半导体 167
8-1 非晶态半导体的结构 167
8-2 非晶态半导体中的电子态 172
8-3 非晶态半导体的电性质 174
8-4 非晶态半导体的光学性质 180
8-5 非晶态半导体的应用 185
主要参考文献 186
各章习题与思考题 188
附表1 主要参数符号表 191
附表2 常用物理常数表 193
附表3 半导体材料物理性质表 194