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化合物半导体工艺
  • 作 者:(英)D.J.科利弗(D.J.Colliver)著;李玉增等译
  • 出 版 社:北京:冶金工业出版社
  • 出版年份:1980
  • ISBN:15062.3475
  • 标注页数:412 页
  • PDF页数:420 页
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目录 1

第一章 材料生长和杂质控制 1

第一节 体生长 1

第二节 外延生长 13

一、衬底制备 13

二、气相外延 14

三、液相外延 37

四、液相外延系统的比较 63

五、外延系统的目前趋向 63

一、简单理论 83

第三节 扩散 83

二、实验数据 84

第四节 离子注入 100

第五节 表面钝化 101

第六节 总结 102

第二章 材料的特性和鉴定 103

第一节 化学分析 103

一、体材料 103

二、薄膜 105

第二节 物理分析 158

第三节 电学分析 164

一、常规分析 165

二、专门技术 212

第四节 总结 257

第三章 器件工艺 258

第一节 片子的处理 258

第二节 金属半导体接触 262

一、接触理论 263

二、冶金学 318

三、工艺 330

四、整流接触 334

五、欧姆接触 335

六、接触特性 338

七、总结 353

第四章 散热器 354

第一节 理论 354

第二节 工艺 388

第三节 金刚石散热器 396

第四节 热阻的测量方法 396

第五章 封装 398

第六章 失效分析和可靠性 403

附录 404

参考文献 406

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