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- 作 者：（俄）诺索夫（Носов，Ю.Р.）等著；魏同立等译
- 出 版 社：南京：江苏科学技术出版社
- 出版年份：1991
- ISBN：
- 标注页数：328 页
- PDF页数：337 页
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第一章 建立半导体器件和集成电路元件数学模型的一般问题 1
1.1对数学模型的要求 模型分类 1
1.2原始方程 8
1.3建立模型的方法 12
1.4半导体器件结构中物理过程的等效电路 30
1.5数字集成电路的宏观模型 41
第二章 双极型元件 物理-拓扑模型 44
2.1一维模型 46
2.2两维效应模拟 74
2.3三维结构模拟 82
第三章 双极型元件 电学模型 95
3.1晶体管小信号模型 96
3.2大信号晶体管模型 113
3.3其它双极型集成电路元件 161
3.4晶体管模型参数的确定 176
第四章 绝缘栅单极晶体管（MOS晶体管） 197
4.1MOS器件的基本方程 199
4.2物理-拓扑模型 205
4.3电学模型 257
4.4小信号模型 264
4.5两维分析 269
第五章 其它单极型器件 280
5.1离子注入MOS晶体管 280
5.2其它类型的MOS晶体管 297
5.3电荷耦合器件 304
5.4P-N结控制的单极晶体管（结型场效应晶体管） 319