- 作 者：陈星弼著
- 出 版 社：南京：东南大学出版社
- 出版年份：1990
- ISBN：7810233227
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目录 1
第一章 绪论 1
§1-1功率半导体器件的发展概述 1
§1-2功率MOS器件的发展过程和发展方向 5
§1-3功率集成电路的发展动态 19
§1-4功率MOS器件的应用 22
参考文献 36
第二章 特殊制造技术 38
§2-1中子嬗变掺杂技术 38
§2-2硅片直接键合技术 46
§2-3载流子寿命控制技术 48
§2-4封装技术 59
参考文献 73
第三章 雪崩击穿与结终端技术 75
§3-1碰撞电离与雪崩击穿 75
§3-2平行平面结的击穿电压与临界电场 79
§3-3平面结击穿 86
§3-4场板及有关技术 93
§3-5场限环 102
§3-6斜表面与腐蚀轮廓 110
§3-7结终端扩展与变化横向掺杂 116
参考文献 120
§4-1引言 122
第四章 垂直导电MOS型功率器件 122
§4-2功率MOS的结构与I～V特性 135
§4-3功率MOS的重要参数 154
§4-4 IGT 183
§4-5 MCT及智能功率MOS 209
参考文献 222
第五章 横向高压、功率MOS型器件 225
§5-1横向双扩散MOS（LDMOS） 225
§5-2偏置栅MOS与高压双栅MOS 253
§5-3 RESURF 284
§5-4横向绝缘栅晶体管 295
参考文献 315
第六章 其它器件 317
§6-1静电感应晶体管 317
§6-2静电感应晶闸管 325
§6-3复合功率器件 331
参考文献 336
第七章 功率集成电路与高压集成电路 340
§7-1 PIC与HVIC实例 340
§7-2 隔离技术 351
§7-3 SMART功率集成技术 358
§7-4 DMOS/CMOS（或D/CMOS）集成技术 362
§7-5 BIMOS集成技术 366
参考文献 371