- 作 者：（德）Erich Kasper主编；余金中译
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：2002
- ISBN：7118028835
- 标注页数：251 页
- PDF页数：267 页
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第一章 引言 1
1.1 应力引起的外延薄膜形貌不稳定性和成岛 1
1.2 SiGe/Si系统中失配位错网络的平衡理论 19
1.3 SiGe/Si系统中亚稳定变层的结构 33
第二章 结构特性 57
2.1 SiGe合金系的晶体结构、晶格常数和固—液相图 57
2.2 SiGe合金的有序性 62
2.3 Si/Ge界面：结构、能量和互扩散 73
第三章 热学、力学和晶格振动学性质 78
3.1 SiGe的弹性常数 78
3.2 SiGe的热力学性质 81
3.3 SiGe中的光学声子、声学声子和Raman光谱 92
第四章 能带结构 99
4.1 SiGe的能隙和能带结构及它们同温度的依赖关系 99
4.2 应变对SiGe价带结构的影响 107
4.3 应变对SiGe导带结构的影响 113
4.4 SiGe中的有效质量 117
4.5 SiGe异质结构和带偏移 125
4.6 SiGe的光谱 132
4.7 弛豫的SiGe合金的光学函数及应变对光学函数的影响 138
第五章 输运特性 151
5.1 SiGe/Si系中的电子和空穴的迁移率 151
5.2 Si/SiGe异质结的注入 163
5.3 SiGe/Si结构中的磁输运特性 181
第六章 表面性质 189
6.1 SiGe（100）表面的再构和键合构形 189
6.2 Si和Ge（001）面生长和退火中的原子台阶 194
6.3 Ge和掺杂原子在SiGe层生长过程中的分凝 199
第七章 Si基器件的结构和重要数据集锦 212
7.1 Si/SiGe/Si异质结双极型晶体管 212
7.2 n—MODFET用的应变调节方法：无应变SiGe、应变Si（1.5%） 225
7.3 SiGe p—MOSFET：SiGe（2.0%） 233
7.4 超薄SiGe超晶格应变对称性 239