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- 作 者：（美）穆拉尔卡（Murarka，S.P.）著；赵 英译
- 出 版 社：天津：南开大学出版社
- 出版年份：1987
- ISBN：7310000463
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目录 1
第一章 引言 3
A、概论 3
B、MOS器件——栅和内部互连线级的RC延迟和速度 6
C、肖特基势垒器件 16
D、接触金属化和接触电阻 26
第二章 性质 31
A、电阻率 31
B、电阻率的温度依赖性 46
C、晶体结构 47
D、应力 51
E、化学反应能力 66
第三章 热力学考虑 71
A、硅化物的形成热（△Hf） 71
B、二元相图和金属间化合物的形成 77
C、相互固溶性和扩散系数 87
D、电迁移电阻 96
A、金属间化合物的形成——动力学 98
第四章 形成 98
B、金属间化合物的形成——杂质的影响 105
C、硅化物的形成——实验技术 114
第五章 氧化 129
A、概述 129
B、实验结果 131
C、氧化机理 139
D、硅化物上氧化层的介质击穿 141
A、刻蚀图案 146
第六章 集成电路制造 146
B、金属化 150
C、硅化物的工艺稳定性 151
第七章 特殊应用 156
A、浅硅化物接触 156
B、外延硅化物 164
C、富硅的二硅化物 167
D、数据库光学存储 168
参考文献 169