半导体器件表面钝化译文集

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目录 1

硅半导体器件的表面钝化 1

半导体的表面钝化 16

硅器件的钝化涂层 42

介质膜在器件制造中的作用 63

多晶、氮化和氧化硅的低压化学汽相沉积生产工艺 74

用热氧化钝化高压pnp结构 101

改进高压晶体管性能的玻璃钝化 113

用形成磷硅玻璃的方法从二氧化硅薄膜中完全除去钠 124

应用于MOS集成电路的半绝缘多晶硅（SIPOS）薄膜 128

半绝缘多晶硅（SIPOS）钝化工艺 146

用SIPOS工艺制作高可靠高压晶体管 158

高质量的射频溅射二氧化硅层 172

低温等离子体增强氮化硅沉积的生产反应器 186

Si3N4的厚度与双极型晶体管特性的关系 201

硅衬底上Al2O3层的制备及电学性质 223

硅上多晶氧化铝的阳极氧化 229

三氯乙烯氧化对MOS器件特性的一些影响 251

用中子活化和紫外光谱分析确定溅射SiO2中钠的分布 263

半导体器件表面钝化 译文集