- 作 者：管绍茂，王迅编著
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1981
- ISBN：15034·2232
- 标注页数：175 页
- PDF页数：180 页
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绪论 1
第一章 钝化硅表面的结构和特性 3
1-1 硅的清洁表面和真实表面 3
1-2 硅-二氧化硅界面 6
1-3 其它钝化介质的结构 15
第二章 硅表面势及其对器件特性的影响 20
2-1 表面的积累、耗尽和反型 20
2-2 反型的判据 24
2-3 表面对半导体器件特性的影响 27
第三章 氮化硅钝化膜 38
3-1 概述 38
3-2 氮化硅膜的制备方法 39
3-3 氮化硅膜的性质 54
3-4 氮化硅和二氧化硅混合结构 72
3-5 氮化硅膜的应用 73
第四章 二氧化硅和磷硅玻璃钝化膜 87
4-1 二氧化硅膜的制备和应用 87
4-2 磷硅玻璃膜的制备方法 94
4-3 磷硅玻璃膜的性质和应用 99
4-4 磷铝硅玻璃钝化膜的制备和应用 102
第五章 三氧化二铝钝化膜 107
5-1 概述 107
5-2 三氧化二铝膜的制备、性质和应用 108
第六章 掺氯氧化钝化工艺 122
6-1 掺氯氧化工艺 122
6-2 掺氯氧化层的一些性质 128
6-3 掺氯氧化的钝化效果 130
7-1 半绝缘多晶硅膜的钝化作用 136
第七章 半绝缘多晶硅钝化膜 136
7-2 半绝缘多晶硅膜的制备、性质和应用 138
第八章 金属氧化物和有机聚合物钝化膜 149
8-1 金属氧化物钝化膜的制备、性质和应用 149
8-2 有机聚合物钝化膜的应用 153
第九章 测量钝化表面的实验方法 157
9-1 各种实验方法的概况 157
9-2 MOS电容-电压法的原理 159
9-3 实验方法简介 172