- 作 者：武世香编
- 出 版 社：北京：电子工业出版社
- 出版年份：1995
- ISBN：7505327364
- 标注页数：358 页
- PDF页数：371 页
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上篇 双极型晶体管 1
第一章 p-n结 1
1.1 p-n结的形成及平衡状态 1
1.2 P-n结的直流特性 9
1.3 p-n结空间电荷区和势垒电容 28
1.4 p-n结的交流小讯号特性 50
1.5 P-n结击穿 53
练习题 65
第二章 双极型晶体管的直流特性 68
2.1 晶体管的基本结构和杂质分布 68
2.2 晶体管的放大机理 70
2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益 74
2.4 晶体管的反向电流及击穿电压 97
2.5 晶体管的直流特性曲线介绍 103
2.6 基极电阻 109
2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll）模型 111
练习题 113
第三章 双极型晶体管的频率特性 115
3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数 115
3.2 晶体管的交流特性分析 116
3.3 晶体管的高频参数及等效电路 121
3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数 130
3.5 晶体管电流放大系数的频率关系 138
3.6 晶体管的高频功率增益 143
3.7 工作条件对晶体管fT、KPm的影响 146
练习题 147
第四章 双极型晶体管的功率特性 149
4.1 集电极最大允许工作电流ICM 149
4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响 149
4.3 有效基区扩展效应 154
4.4 发射极电流集边效应 159
4.5 发射极单位周长电流容量——线电流密度 163
4.6 晶体管最大耗散功率PCM 165
4.7 二次击穿和安全工作区 167
练习题 176
第五章 二极管和双极型晶体管的开关特性 178
5.1 p-n结二极管的开关特性 178
5.2 晶体管的开关作用 184
5.3 晶体管的开关过程和开关时间 186
5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 203
练习题 206
下篇 场效应晶体管 207
第六章 结型场效应晶体管 208
6.1 结型场效应晶体管的基本工作原理 208
6.2 结型场效应晶体管的直流特性与低频小信号参数 213
6.3 结型场效应晶体管的交流特性 232
6.4 结型场效应晶体管的功率特性 237
6.5 结型场效应晶体管结构举例 239
练习题 251
第七章 MOS场效应晶体管 252
7.1 MOSFET的基本工作原理和分类 252
7.2 MOSFET的阈值电压 254
7.3 MOSFET的电流-电压特性和直流特性曲线 269
7.4 MOSFET的击穿特性 277
7.5 MOSFET的频率特性 281
7.6 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构 293
7.7 MOSFET的开关特性 297
7.8 MOSFET的温度特性 301
7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应 304
练习题 314
第八章 晶体管的噪声特性 315
8.1 晶体管的噪声和噪声系数 315
8.2 晶体管的噪声源 316
8.3 双极型晶体管的噪声 318
8.4 JFET和MESFET的噪声特性 321
8.5 MOSFET的噪声特性 327
练习题 329
第九章 新型晶体管介绍 331
9.1 异质结双极晶体管 331
9.2 静电感应晶体管 335
9.3 穿通型晶体管 339
9.4 绝缘栅双极晶体管 341
9.5 双极反型沟道场效应晶体管（BICFET） 343
附录 345
参考资料 354