- 作 者：高廷仲编
- 出 版 社：天津：天津科学技术出版社
- 出版年份：1982
- ISBN：15212·69
- 标注页数：226 页
- PDF页数：231 页
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目录 1
第一章 半导体器件工艺概述 1
§1-1半导体器件工艺的发展及现况简介 1
§1-2半导体器件制造的工艺流程 3
第二章 半导体材料的特点和加工 11
§2-1半导体材料的特点与加工要求 11
§2-2切片工艺 16
§2-3磨片工艺 21
§2-4抛光工艺 25
§2-5材料的损耗及提高材料利用率的途径 28
第三章 外延工艺 31
§3-1外延生长的基本知识 31
§3-2外延生长工艺 32
§3-3硅外延生长装置 41
§3-4外延层的参数测量 43
§3-5外延层质量的讨论 47
第四章 氧化工艺 50
§4-1二氧化硅的物理及化学性质 50
§4-2二氧化硅在器件中的作用 53
§4-3二氧化硅层的制备原理及操作实例 57
§4-4二氧化硅质量检验及工艺问题讨论 66
第五章 光刻工艺 72
§5-1光刻工艺流程 72
§5-2光刻胶的性质 73
§5-3光刻工艺操作 77
§5-4光刻中常见问题的讨论 84
§5-5光刻新工艺 86
第六章 扩散工艺 91
§6-1扩散原理 91
§6-2扩散条件的选择 96
§6-3扩散工艺 99
§6-4扩散参数的测量 112
§6-5扩散中常见问题的简单分析 118
§6-6离子注入技术 121
第七章 介质膜淀积工艺 124
§7-1常用介质膜的性质和作用 124
§7-2介质膜的制造工艺 129
§7-3介质膜的检测 140
第八章 电极制备及引线、封装工艺 145
§8-1蒸发工艺 145
§8-2合金及划片工艺 155
§8-3键合工艺 158
§8-4封装工艺 161
第九章 制版工艺 166
§9-1透镜成像的基本规律 166
§9-2对掩膜版的要求及工艺流程 170
§9-3制图与照相 171
§9-4超微粒干版、铬版、氧化铁版的制备 180
§9-5光刻掩膜版的识别 187
第十章 半导体器件的可靠性 190
§10-1可靠性的概念及简单计算 190
§10-2可靠性试验 193
§10-3半导体器件失效分析 199
§10-4提高器件可靠性的措施 204
第十一章 超争知识 209
§11-1净化标准与测量 209
§11-2过滤器与净化台 213
§11-3超净室 217
附录一 室温（300K）下锗、硅的物理性质 221
附录二 常用金属的主要物理性质 222
附录三 常用金属和合金的腐蚀剂 223
附录四 气体的安全使用常识 224
附录五 有机溶剂及酸、碱的安全使用常识 226