- 作 者：R·B·Marcus，T·T·Sheng著；宗祥强，吴新仁译
- 出 版 社：上海：复旦大学出版社
- 出版年份：1989
- ISBN：7309000683
- 标注页数：162 页
- PDF页数：169 页
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第一章 超大规模集成电路技术和电子显微镜 1
1.1 集成电路工艺简介 1
1.2 光学显微镜及扫描电子显微镜 3
1.3 透射电子显微镜 6
1.4 超大规模集成电路 8
第二章 超大规模集成电路中应用透射电子显微镜 13
2.1 引言 13
2.1.1 透射电子显微镜象 13
2.1.2 结晶结构及化学成分 14
2.1.3 透射电子显微镜用于器件问题 14
2.2 样品厚度 15
2.3 样品制备 17
2.3.1 复印方法 18
2.3.2 水平剖面样品 19
2.3.3 垂直剖面样品 21
2.4 透射电子显微镜测试图形样品 25
2.5 特征形貌的增强 26
第三章 氧化硅 28
3.1 引言 28
3.2 热生长二氧化硅 28
3.2.1 半槽形氧化 28
3.2.2 窗边缘处氧化 34
3.2.3 台阶氧化 39
3.2.4 多晶硅氧化 43
3.3 化学气相沉积及等离子沉积氧化膜 55
第四章 金属化 62
4.1 引言 62
4.2 多晶硅 63
4.3 铝 72
4.4 硅化物 83
第五章 结的染色 94
第六章 离子注入损伤 102
7.2 栅区域 115
第七章 完整器件 115
7.1 引言 115
7.3 第一级金属化-衬底接触 118
7.4 第二级金属化-衬底接触 122
7.5 第二级金属化-第一级金属化接触 127
7.6 一般器件特征 137
第八章 器件漏电与击穿 150
8.1 引言 150
8.2 PN结漏电 151
8.3 栅氧化漏电及击穿 154
参考文献 158