数字集成电路第3辑

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目录 1

一、生产试制总结 1

结温老化 1

片状BN在数字集成电路扩散工艺中的应用 9

高抗扰二——五进制计数器试制小结 13

锁定触发器试制小结 22

D64—765合格率分析 33

片状BN使用点滴 43

高温测试氖管显示 47

称量计数 51

二、译文 52

硅器件的表面纯化 52

关于半导体表面物理的几个问题 62

发射极和集电极体电阻的迅速测定 80

I2L将赶上C-MOS吗？ 82

高速集成注入逻辑 86

I2L的基本特性与设计 95

集成存储器 105

扩散吸收硅中的金和铜 119

用氢气燃烧的硅湿氧氧化 134

无位错硅片的微小缺陷 138

掺多晶硅的磷、砷扩散 142

硅扩散过程中产生的晶格缺陷的控制 146

管壳对集成电路表面稳定性的影响 150

评价TTL电参数稳定性的一种方法 162

数字集成电路 第3辑