当前位置：半导体中离子注入pdf电子书下载 > 工业技术
- 作 者：（英）G.加特，W.A.格兰特
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1982
- ISBN：
- 标注页数：245 页
- PDF页数：249 页
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目录 1
第1章 引言 1
1.1历史的回顾 1
1.2基本概念 2
1.3应用 4
1.4晶体结构 6
1.5半导体的掺杂 9
第2章 原子间的碰撞 12
2.1引言 12
2.2弹性碰撞 14
2.3非弹性碰撞 43
第3章 离子射程 49
3.1引言 49
3.2射程概念 51
3.3射程计算 56
3.4LSS的概述 61
3.5计算机计算和模拟 67
3.6测量技术 69
3.7实验结果 72
第4章 沟道效应 79
4.1沟道现象 79
4.2卢瑟福散射和沟道 94
4.3通量峰 111
第5章 缺陷的产生 125
5.1引言 125
5.2固体中的点缺陷 126
5.3固体中的扩展缺陷 130
5.4离子注入产生的缺陷 135
5.5级联的尺寸 149
5.6晶状固体中产生的无序 159
5.7缺陷的迁移和退火 171
6.2观测损伤的直接法 177
6.1引言 177
第6章 辐射损伤的测量 177
6.3观测损伤的间接法 186
6.4实验测量 188
6.5无序的稳定性 206
第7章 器件应用 210
7.1引言 210
7.2注入层的电学性质 211
7.3平面扩散工艺 219
7.4注入结的性质 222
7.5特殊器件中的应用 227
参考文献 240