- 作 者：（英）J.马弗 M.A.杰克 P.B.丹尼尔
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1990
- ISBN：
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目录 1
第一章 LSI设计路线 1
1.1 集成电路工艺介绍 1
1.2 LSI设计的几种途径 6
1.3 精细刻蚀技术 11
1.4 设计人员－用户交互作用 15
1.5 “用户设计”方法 17
1.6 全书介绍 21
参考文献 22
第二章 MOS晶体管理论和倒相电路 23
2.1 MOS晶体管基础 23
2.2 MOS晶体管工作原理 26
2.3 实际的MOS电容器 32
2.4 MOS晶体管漏极电流方程 36
2.5 MOS晶体管饱和条件 42
2.6 MOS晶体管参数的温度依赖关系 46
2.7 MOS晶体管小信号参数 47
2.8 MOS电路介绍 49
2.9 作负载用的MOS晶体管 52
2.10 有比倒相器静态分析 57
2.11 有比倒相器速度计算 63
2.12 无比倒相器的实现 72
2.13 传输晶体管 79
参考文献 80
第三章 MOS工艺和设计规则 81
3.1 设计规则 82
6.10 测试 198
6.11 电路封装 200
6.12 热设计考虑 202
6.13 栅极输入保护 204
6.14 输出电路 208
参考文献 211
第七章 计算机辅助设计 212
7.1 综合：绘图的辅助设计 213
7.2 综合：自动布线 216
7.3 综合：符号布图系统 217
7.4 综合：编译法设计版图 220
7.5 分析：设计规则的校核 223
7.6 分析：电路的提取 225
7.7 分析：模拟分析 226
7.8 小结 229
参考文献 229
第八章 模拟MOS电路 231
8.1 模拟电路用的MOS元件 232
8.2 开关电容滤波器介绍 243
8.3 数据转换 253
参考文献 265
附录A 作业举例：四位二进制计数器 266
附录B 有关MOSLSI设计的若干习题和答案 290