- 作 者：王云珍编著
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1986
- ISBN：13031·3347
- 标注页数：230 页
- PDF页数：237 页
请阅读订购服务说明与试读!
订购服务说明
1、本站所有的书默认都是PDF格式，该格式图书只能阅读和打印，不能再次编辑。
2、除分上下册或者多册的情况下，一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源237 ≥230页】
图书下载及付费说明
1、所有的电子图书为PDF格式，支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读；可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。
2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)
3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。
第一章 物质世界漫步 1
1.1 “原子大厦”——单晶体 1
1.2 原子“家庭” 8
1.3 电子“周游列国” 12
第二章 新颖的材料—半导体 17
2.1 半导体的诞生 17
2.2 半导体象导体又象绝缘体 19
2.3 半导体中运载电流的两种载流子——电子和一空穴 22
2.4 不纯——P型和N型半导体 25
2.5 半导体载流子的漂移和扩散 33
第三章 奇妙的PN结 41
3.1 P型和N型半导体的接触——PN结的形成 41
3.2 运输电流长街上的“红绿灯”——PN结整流 48
3.3 反向电流的激增——PN结击穿 57
3.4 存放载流子的“仓库”——PN结电容 62
3.5 PN结二极管的制造方法平面工艺简介 65
第四章 一座崭新的里程碑—晶体管 75
4.1 平面型晶体管实例 77
4.2 晶体管电流传输的三部曲 80
4.3 电流由小变大—晶体管的放大 86
4.4 晶体管的直流特性 92
4.5 晶体管的频率响应 102
4.6 晶体管的开关特性及电荷贮存效应 114
第五章 半导体的表面和界面 122
5.1 半导体表面结构和表面电子状态 123
5.2 半导体表面的积累层、耗尽层和反型层 130
5.3 MIS电容 135
5.4 金属－半导体接触 142
5.5 实际MIS电容器的C-V特性及其应用 148
第六章 新材料和新器件 153
6.1 三“加”五“等于”四——Ⅲ-Ⅴ族化合物半导本 154
6.2 非晶态半导体 160
6.3 超晶格和分子束外延 168
6.4 简并半导体和隧道结 171
6.5 体内效应和耿氏管 175
6.6 场效应晶体管 180
6.7 电荷耦合器件（CCD）简介 191
第七章 微电子时代的信息——集成电路与超大规模集成电路 198
7.1 集成电路的基础工艺技术 200
7.2 计算机辅助设计技术 209
7.3 集成电路“大家庭” 214
7.4 逻辑集成电路集锦 216
7.5 大规模和超大规模集成电路 227