- 作 者：罗晋生主编
- 出 版 社：上海：上海科学技术出版社
- 出版年份：1984
- ISBN：15119·2374
- 标注页数：112 页
- PDF页数：118 页
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出版说明 1
前言 1
第1章 离子注入装置 1
§1-1 装置的结构 1
目录 1
§1-2 基本工作原理 2
附录1-1 离子注入用主要气体源性质 8
附录1-2 几种天然元素及离子源工作物质的性质 10
§2-1 射程、投影射程及标准偏差 11
§2-2 入射离子在固体中的减速过程 11
第2章 注入离子的射程分布 11
§2-3 非晶靶的射程分布理论 19
§2-4 沟道运动及单晶靶中射程分布 28
§2-5 射程分布理论的应用 34
附录2-1 两粒子碰撞的散射角 37
附录2-2 Si靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值 40
附录2-3 GaAs靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值 41
附录2-4 SiO2靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值 41
第3章 离子注入的损伤和退火效应 43
§3-1 离子注入引起的损伤 43
§3-2 离子注入损伤的分布 48
§3-3 热退火效应 51
§3-4 其他退火方式 55
§3-5 增强扩散 60
§3-6 反冲注入 62
第4章 化合物半导体中的离子注入 64
§4-1 注入损伤及其退火特性 64
§4-2 半绝缘GaAs中的离子注入 71
§4-3 GaAs中的质子注入和O+注入 73
§4-4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的离子注入 75
第5章 测量技术 77
§5-1 背散射测量 77
§5-2 放射性活化分析 82
§5-3 微分薄层电阻率法 85
§5-4 霍耳效应测量法 87
§5-5 电容-电压法 88
§5-6 椭偏光测量法 91
第6章 离子注入技术在器件中的应用 94
§6-1 离子注入技术特点 94
§6-2 在MOS器件中的应用 95
§6-3 在双极器件中的应用 102
§6-4 在其他硅器件中的应用 107
§6-4 在化合物半导体器件中的应用 108
§6-6 在其他工艺上的应用 110