- 作 者：甘学温编著
- 出 版 社：北京：北京大学出版社
- 出版年份：1999
- ISBN：7301040350
- 标注页数：321 页
- PDF页数：329 页
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第一章 MOS晶体管工作原理 1
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 1
1.2 MOS晶体管的阈值电压分析 5
1.3 MOS晶体管的电流方程 12
1.4 MOS晶体管的瞬态特性 18
第二章 MOS器件按比例缩小 30
2.1 按比例缩小理论 30
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 38
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 52
2.4 VLSI发展的实际限制 60
第三章 CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 63
3.1 集成电路制作中的几个基本工艺步骤 63
3.2 CMOS IC工艺流程 65
3.3 CMOS IC中的寄生效应 68
4.1 CMOS反相器的直流特性 74
第四章 CMOS反相器和CMOS传输门 74
4.2 CMOS反相器的瞬态特性 79
4.3 CMOS反相器的功耗 86
4.4 CMOS反相器的设计 88
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 88
4.6 CMOS传输门 92
第五章 CMOS静态逻辑电路设计 98
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 98
5.2 CMOS与非门的分析 99
5.3 CMOS或非门的分析 104
5.4 CMOS与非门和或非门的设计 106
5.5 组合逻辑电路的设计 110
5.6 类NMOS电路 118
5.7 传输门逻辑电路 121
5.8 差分CMOS逻辑系列 128
6.1 动态逻辑电路的特点 140
6.2 预充、求值的动态CMOS电路 140
第六章 动态和时序逻辑电路设计 140
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 147
6.4 时钟CMOS(C2MOS)电路 153
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 154
6.6 CMOS触发器 159
6.7 时序逻辑电路 167
第七章 输入、输出缓冲器 177
7.1 输入缓冲器 177
7.2 输入保护电路 179
7.3 输出缓冲器 181
7.4 脱片输出驱动级的设计 184
7.5 三态输出和双向缓冲器 186
第八章 MOS存储器 190
8.1 DRAM 190
8.2 SRAM 221
8.3 ROM和PLD 234
9.1 VLSI的设计方法 254
第九章 MOS IC的版图设计 254
9.2 门阵列和标准单元设计方法 258
9.3 版图设计 266
第十章 SOICMOS简介 272
10.1 SOI CMOS工艺 272
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 273
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 280
第十一章 BiCMOS电路 289
11.1 MOS和双极型器件性能比较 289
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 291
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 292
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 299
11.5 BiCMOS电路实例 302
主要符号表 310
主要参考文献 313
附录 321