- 作 者：南京固体器件研究所编
- 出 版 社：
- 出版年份：1984
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目录 1
1．单极“场效应”晶体管 1
2．GaAs场效应晶体管的分析模型与等效电路 21
3．带状线GaAsMESFET的高频性能 35
4．GaAsMESFET基本器件参数的确定 45
5．微波GaAsMESFET的最佳噪声系数 63
6．砷化镓场效应晶体管的噪声特征 73
7．低噪声GaAsFET器件特性与材料质量的关系 94
8．用于宽带低噪声放大器的微波GaAsMESFET的设计 100
9．大功率GaAsFET的设计理论 110
10．Ku波段低噪声GaAsFET及其特性 121
11．砷化镓功率MESFET：设计、制造和性能 131
12．考虑电子速度饱和区的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的设计理论 147
13．宽带GaAs场效应晶体管功率放大器的设计 158
14．与稳定高场畴有关的GaAsMESEFT的设计准则 165
15．一种模拟超短栅MESFET的数值方法 176
16．亚微米栅场效应晶体管的噪声模型 184
17．包含非稳态电子动力学效应的亚微米栅FET的模型 193
18．亚微米沟道FET中过冲电子速度的物理解释 202
19．GaAs双栅MESFET的微波宽带模型 215
20．微波频率GaAs双栅肖特基势垒相FET 227
21．双栅MESFET可变增益恒定输出功率加大器 238
22．GaAsMESFET的可靠性研究 244
23．功率GaAs场效应晶体管的可靠性 255
24．砷化镓场效应晶体管的故障分析及可靠性改善 266